| Construction Strategy of ESD P | |
| 所屬分類：白皮書 | |
| 上傳者：serena | |
| 標簽： CMOS 靜電放電 集成電路 | |
| 所需積分：1分積分不夠怎么辦？ | |
| 文檔介紹： 1 引言 靜電放電（ESD，Electrostatic Discharge）給電子器件環境會帶來破壞性的后果。 它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發展，互補金屬氧化物半導體（CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor）的特征尺寸不斷縮小，金屬氧化物半導體(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的柵氧厚度越來越薄，MOS 管能承受的電流和電壓也越來越小，因此要進一步優化電路的抗ESD 性能，需要從全芯片ESD保護結構的設計來進行考慮。 | |
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