1.9GHz 低電壓低功耗 CMOS 射頻低噪聲放大器的設計
所屬分類：技術論文
上傳者：aet
文檔大?。?span>306 K
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文檔介紹：針對1.9 GHz PHS和DECT無線接入系統的應用，提出了一種可工作于0.9 V低電壓的CMOS射頻低噪聲放大器，并對其電路結構、噪聲及線性度等主要性能進行分析。該電路基于傳統的折疊結構低噪聲放大器，利用晶體管線性補償技術，實現了低壓低功耗下的高線性度。采用TSMC 0.18 μm CMOS工藝模型設計與驗證。
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