NAND 相關(guān)文章(357篇)
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傳三星電子考慮對DRAM內(nèi)存和NAND閃存產(chǎn)品提價3%~5%
發(fā)表于：4/7/2025 10:39:58 AM
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SK海力士已完成收購英特爾NAND業(yè)務(wù)部門的最終階段交易
發(fā)表于：3/28/2025 11:33:53 AM
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存儲芯片大廠美光宣布也將漲價
發(fā)表于：3/27/2025 9:37:02 AM
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消息稱美光對NAND閃存新訂單平均漲價11%
發(fā)表于：3/18/2025 9:51:39 AM
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消息稱閃迪已向下游發(fā)出其存儲產(chǎn)品漲價函
發(fā)表于：3/11/2025 10:25:05 AM
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三星計劃到2030年實現(xiàn)1000層NAND
發(fā)表于：2/27/2025 9:56:53 AM
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SK海力士將完成收購英特爾NAND業(yè)務(wù)
發(fā)表于：2/27/2025 9:25:23 AM
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消息稱三星V10 NAND將使用長江存儲的混合鍵合專利
發(fā)表于：2/25/2025 10:13:00 AM
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消息稱三星和SK海力士減產(chǎn)NAND應(yīng)對供應(yīng)過剩問題
發(fā)表于：2/12/2025 11:03:20 AM
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DDR4內(nèi)存價格持續(xù)下跌 NAND閃存減產(chǎn)效果未顯現(xiàn)
發(fā)表于：2/6/2025 10:31:50 AM
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四大存儲廠商計劃今年減產(chǎn)以穩(wěn)定NAND閃存價格
發(fā)表于：1/24/2025 11:50:40 AM
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消息稱三星將從頭設(shè)計新版1b nm DRAM
發(fā)表于：1/22/2025 10:03:58 AM
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傳三星西安NAND Flash工廠減產(chǎn)超10%
發(fā)表于：1/13/2025 11:29:05 AM
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存儲巨頭鎧俠正式掛牌上市
發(fā)表于：12/19/2024 10:33:13 AM
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三星完成400層NAND Flash開發(fā)
發(fā)表于：12/10/2024 11:15:18 AM
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長江存儲發(fā)聲明回應(yīng)借殼萬潤科技上市傳聞
發(fā)表于：12/9/2024 9:58:30 AM
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SK海力士新設(shè)AI芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門
發(fā)表于：12/6/2024 9:39:33 AM
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三星將推出400+層第10代V-NAND
發(fā)表于：12/5/2024 9:20:26 AM
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NAND閃存產(chǎn)業(yè)2024Q3整體營收176億美元
發(fā)表于：11/28/2024 11:12:22 AM
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消息稱三星下代400+層V-NAND 2026年推出
發(fā)表于：10/30/2024 11:22:15 AM
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Solidigm宣布2025年Q1結(jié)束前不再制造/出貨貼有英特爾標簽產(chǎn)品
發(fā)表于：10/22/2024 9:50:11 AM
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消息稱NAND閃存芯片制造商鎧俠取消10月IPO計劃
發(fā)表于：9/25/2024 9:15:02 AM
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中國存儲模組制造商涌現(xiàn)大批拋貨潮
發(fā)表于：9/25/2024 8:59:07 AM
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2024Q2企業(yè)級SSD合約價環(huán)比增長超25%
發(fā)表于：9/14/2024 8:59:00 AM
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消息指SK海力士400+層閃存明年末量產(chǎn)就緒
發(fā)表于：8/1/2024 9:13:00 AM
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DRAM和NAND現(xiàn)貨價格下跌 短期內(nèi)難以回升
發(fā)表于：6/21/2024 8:30:26 AM
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消息稱鎧俠結(jié)束NAND閃存減產(chǎn)
發(fā)表于：6/17/2024 8:35:35 AM
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SK海力士宣布開發(fā)新一代移動端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0
發(fā)表于：5/9/2024 8:28:41 AM
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消息稱三星電子NAND產(chǎn)量大增 開工率重回90%高位
發(fā)表于：4/22/2024 8:50:22 AM
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消息稱三星電子本季度NAND閃存產(chǎn)能環(huán)比提升30%
發(fā)表于：4/16/2024 8:50:13 AM
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