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瑞薩收購Transphorm，利用GaN技術擴展電源產品陣容
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GaN格局，開年大變
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Nexperia推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
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德州儀器發布低功耗氮化鎵系列新品
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CGD與群光電能科技和劍橋大學技術服務部共同組建GaN生態系統
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CGD 的 ICeGaN HEMT 榮獲臺積電歐洲創新區“最佳演示”
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大聯大友尚集團推出基于ST產品的GaN電源轉換器方案
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CGD 首席技術官 Florin Udrea 入選著名的 Ispsd 名人堂
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Transphorm推出SuperGaN FET 的低成本驅動器解決方案
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恩智浦推出全新的射頻功率器件頂部冷卻封裝技術，進一步縮小5G無線產品尺寸
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Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同類產品中擁有出色的穩健性、易用性和高效率
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英飛凌推出新一代雙通道隔離柵極驅動器IC，提升SMPS設計的系統性能
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氮化鎵 （GaN） 帶來電源管理變革的 3 大原因
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【向寬禁帶演進】：您能跟上寬禁帶測試要求的步伐嗎？
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Navitas 在 GaN 半導體領域的設計之旅
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納芯微全新推出GaN相關產品NSD2621和NSG65N15K
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GaN在能源和電力市場已經徹底改變了高功率應用
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第一項是行業首發的全新240W充電架構橫空出世！
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電源設計說明：分析用于高性能應用的新型 SiC 和 GaN FET 器件
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Transphorm在深圳設立GaN場效應晶體管實驗室
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采用GaN HEMT器件最大限度提高下一代USB充電器功率密度
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聚能創芯攜高性能、低成本GaN器件產品和應用方案成功亮相2022慕尼黑華南電子展！
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高清晰小尺寸，日本開發最小的硅襯底GaN激光芯片
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