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mosfet 相關文章(564篇)
德州儀器 NexFETTM 功率模塊以分立式解決方案 50% 的尺寸實現最高的效率、頻率以及功率密度
發表于:6/17/2010 12:00:00 AM
Vishay發布幫助客戶進一步節約器件占位空間和系統成本的解決方案的視頻教程
發表于:6/12/2010 12:00:00 AM
Vishay改進ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具
發表于:6/9/2010 12:00:00 AM
德州儀器 NexFETTM 功率模塊以分立式解決方案 50% 的尺寸實現最高的效率、頻率以及功率密度
發表于:6/9/2010 12:00:00 AM
運用MOSFET實現完美安全系統
發表于:6/7/2010 12:00:00 AM
功率半導體下游需求旺盛 前景看好
發表于:6/4/2010 12:00:00 AM
恩智浦發布兩種擁有0.65 mm的行業最低高度的新2x2 mm無鉛分立封裝
發表于:6/3/2010 12:00:00 AM
IGBT在不間斷電源中的應用
發表于:6/1/2010 12:00:00 AM
大功率多相降壓型 DC/DC 控制器具有差分遠端采樣、有源電壓定位和 Stage Shedding 技術
發表于:5/25/2010 12:00:00 AM
Maxim推出內置MOSFET的單端口、供電設備(PSE)控制器
發表于:5/25/2010 12:00:00 AM
基于功率MOSFET設計考量
發表于:5/18/2010 12:00:00 AM
針對大電流軌的三相降壓型 DC/DC 控制器
發表于:5/17/2010 12:00:00 AM
英飛凌推出適用于高壓功率MOSFET的新型ThinPAK 8x8無管腳SMD封裝,旨在實現更高功率密度解決方案
發表于:5/10/2010 12:00:00 AM
IR 推出汽車用 AUIRS2117S 和 AUIRS2118S 600V IC,提供可靠的緊湊型解決方案
發表于:5/10/2010 12:00:00 AM
高性能4通道D類音頻放大器設計
發表于:5/5/2010 12:00:00 AM
Vishay Siliconix發布首款采用PowerPAK 1212-8封裝的30V P溝道TrenchFET功率MOSFET
發表于:5/5/2010 12:00:00 AM
Vishay Siliconix發布首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET
發表于:4/27/2010 12:00:00 AM
Maxim推出內置28V MOSFET的雙向過流保護器
發表于:4/26/2010 12:00:00 AM
英飛凌與飛兆半導體達成功率MOSFET兼容協議
發表于:4/26/2010 12:00:00 AM
安森美半導體擴充高壓功率方案系列,推出帶集成肖特基二極管的30 V N溝道功率MOSFET
發表于:4/9/2010 12:00:00 AM
Vishay Siliconix將第三代P溝道TrenchFET®技術擴展至雙路12V功率MOSFET
發表于:4/8/2010 12:00:00 AM
IR 推出堅固耐用、具有低導通電阻的汽車用 MOSFET 系列
發表于:4/7/2010 12:00:00 AM
Vishay Siliconix 推出新款500V N溝道功率MOSFET
發表于:4/6/2010 12:00:00 AM
Vishay推出采用6767外形尺寸的新器件,繼續擴充IHLP®系列電感器家族
發表于:4/2/2010 12:00:00 AM
Vishay發布新款microBUCKTM集成同步降壓穩壓器
發表于:3/22/2010 12:00:00 AM
半橋拓撲結構高端MOSFET驅動方案選擇:變壓器還是硅芯片?
發表于:3/16/2010 12:00:00 AM
IR推出采用PQFN封裝的20V、25V及30V MOSFET,適用于ORing和電機驅動應用
發表于:3/11/2010 12:00:00 AM
60V 輸入、雙路輸出同步降壓型 DC/DC 控制器在電池供電系統中僅吸取 50uA 電流
發表于:3/9/2010 12:00:00 AM
飛兆半導體微型以封裝高效產品應對DC-DC設計挑戰
發表于:3/2/2010 12:00:00 AM
英飛凌推出25V OptiMOS? 調壓MOSFET 和 DrMOS系列,使典型服務器的能效達到93%
發表于:3/1/2010 12:00:00 AM
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