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IBM英特爾三星等投資44億美元發展芯片技術

2011-09-28
來源:Sina

  IBM英特爾等大型半導體制造商承諾在紐約州投資44億美元發展芯片技術,希望能夠在先進芯片制造技術方面共享資源。

  該投資協議旨在扶持芯片業發展450毫米晶圓技術,將每片晶圓上可生產的芯片數量增加一倍以上,從而達到降低處理器成本的目的。這些公司將結合自身的半導體資源和財務實力來支持先進技術的開發,此舉同時也會增強紐約作為芯片開發中心的地位。

  參與此次投資的其它公司還包括三星(微博)電子、臺積電以及Globalfoundries。紐約州立大學納米科學工程學院CEO艾倫·卡羅耶羅斯(Alain Kaloyeros)表示,這些半導體公司還承諾投資支持450毫米技術開發,并加入新聯盟成為理事成員。

  根據這份總投資額為44億美元的協議,IBM將在5年內投資36億美元支持未來兩代芯片技術開發,發展22和14納米技術。該投資者集團將在納米科學工程學院建立新的實驗中心,相關設備將在2013年安裝到位,支持半導體公司測試450毫米技術。英特爾還同意在奧爾巴尼設立東海岸總部,支持整個項目的管理。

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