隨著基于 LDMOS(laterally-diffused metal oxide semiconductor，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)的三個(gè)高性能 RF 功率晶體管的推出，飛思卡爾(Freescale)半導(dǎo)體擴(kuò)展了它在 GSM EDGE 無線網(wǎng)絡(luò)方面的投入。這些器件結(jié)合了增強(qiáng)功能，使它們輕松集成到放大器內(nèi)，同時(shí)可提供卓越的性能水平。
MRFE6S9046N (920 至 960 MHz)對于 GSM EDGE 的應(yīng)用，MRFE6S9046N 的運(yùn)行頻率為 920 至 960 MHz，提供17.8 W 的平均 RF 功率輸出，19 dB 的增益，效率高達(dá) 42.5%，且誤差矢量幅度的均方根(RMS)值不超過2.1%。它內(nèi)置在飛思卡爾超模壓塑膠封裝中，該封裝是精確機(jī)械公差和成本效率的結(jié)合。此外，該封裝是表面安裝的，這使它能夠支持自動化的制造流程。而且，增強(qiáng)型的內(nèi)部阻抗匹配能使制造商更輕松地適應(yīng)印刷電路板的變化。內(nèi)部輸出匹配不僅在基本頻率上實(shí)現(xiàn)了用戶友好的終端阻抗，而且還包括賴以實(shí)現(xiàn)更高效率的第二和第三個(gè)諧波終端，以符合 F 級放大器的理論。
MRF8S9100H/HS(920 至 960 MHz) 與 MRF8S18120H/HS(1805 至 1880 MHz)這些 28 V 的器件專為 GSM 與 EDGE 系統(tǒng)中的 AB 級與 C 級的操作而設(shè)計(jì)。在 GSM EDGE 業(yè)務(wù)中，MRF8S9100H/HS 在 940 MHz 運(yùn)行時(shí)提供 45 W的平均功率，19.1 dB 的增益，44%的效率以及均方根(RMS)值為2.0%的誤差矢量幅度(EVM)。
在 GSM EDGE 業(yè)務(wù)中，MRF8S18120H/HS 在 1840 MHz 運(yùn)行時(shí)提供 46 W的平均功率，18.2 dB 的增益，42%的效率以及均方根(EVM)值為1.7%的誤差矢量幅度。MRF8S9100H/HS 與 MRF8S18120H/HS 內(nèi)置在結(jié)實(shí)的氣腔陶瓷封裝中。MRF8S9100H/HS 還能夠在 GSM 800 頻段中操作，而 MRF8S18120H/HS 支持在 GSM 1900 頻段中的操作。所有這三個(gè)器件都是內(nèi)部匹配的，以簡化電路設(shè)計(jì)，符合 RoHS規(guī)范，并且還包含內(nèi)部 ESD 保護(hù)電路。
定價(jià)和供貨情況
MRFE6S9046N 現(xiàn)已成批生產(chǎn)，而且也可提供樣品。MRF8S9100H/HS 與 MRF8S18120H/HS 現(xiàn)在也處于樣品性能試驗(yàn)階段，預(yù)計(jì)2009年7月全面投入生產(chǎn)。