意法半導(dǎo)體將兩項新的封裝技術(shù)應(yīng)用到三個先進的高壓功率MOFET系列產(chǎn)品，讓充電器、太陽能微逆變器和計算機電源等注重節(jié)能的設(shè)備變得更緊湊、更穩(wěn)健、更可靠。
意法半導(dǎo)體先進的PowerFLAT™ 5x6 HV和PowerFLAT 5x6 VHV封裝具有高達650V和800V電壓運行所要求的隔離通道長度和間隙，而封裝面積與工業(yè)標準的100V PowerFLAT 5x6封裝的5mm x 6mm相同，比主流的DPAK封裝縮小52%。此外，這兩個先進封裝僅1mm厚，配備一個裸露的大面積的金屬漏極焊盤，通過印刷電路板上的散熱通孔最大限度地排熱。
這些功能同時提高了管子的高壓輸出能力、穩(wěn)健性、可靠性和系統(tǒng)功率密度。
意法半導(dǎo)體目前正在推出三款采用PowerFLAT 5x6 HV封裝的650V MDmesh™ V MOSFET產(chǎn)品，還推出四款額定電壓極高的采用PowerFLAT 5x6 VHV 800V封裝的SuperMESH 5 MOSFET。
此外，意法半導(dǎo)體已經(jīng)開始提供兩款采用PowerFLAT 5x6 HV 封裝的600 V 快速開關(guān)型低Qg 的MDmesh II Plus MOSFET測試樣片。
詳情請訪問www.st.com/mosfet
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