繼國(guó)內(nèi)首條8英寸IGBT專(zhuān)業(yè)芯片線在南車(chē)株洲所投產(chǎn)后，近日，載有首批8英寸IGBT芯片的模塊，也在昆明地鐵車(chē)輛段完成段內(nèi)調(diào)試，并穩(wěn)定運(yùn)行1萬(wàn)公里，各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)均達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平。

此次試運(yùn)行的IGBT模塊，由南車(chē)株洲所旗下南車(chē)時(shí)代電氣自主研發(fā)的8英寸IGBT芯片封裝而成，IGBT芯片制造、封裝、測(cè)試的整套技術(shù)均在公司研制和生產(chǎn)。它從誕生到應(yīng)用，徹底打破了國(guó)外高端IGBT技術(shù)壟斷，實(shí)現(xiàn)了從研發(fā)、制造到應(yīng)用的完全國(guó)產(chǎn)化。

IGBT是電力電子裝置的“心臟”，但國(guó)內(nèi)起 步晚，國(guó)內(nèi)大功率IGBT市場(chǎng)一直被國(guó)外公司壟斷。20世紀(jì)60年代初，株洲所開(kāi)始培養(yǎng)我國(guó)最早的半導(dǎo)體器件研發(fā)隊(duì)伍。該所從美國(guó)西屋公司引進(jìn)一條3英寸 大功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線，通過(guò)消化和吸收，先后成功研制出5英寸系列普通晶閘管和整流管及世界上第一只6英寸晶閘管。

2008年，南車(chē)時(shí)代電氣成功并購(gòu)英國(guó)丹尼克斯半導(dǎo)體公司。2012年，株洲所投資15億元，在株洲建設(shè)起國(guó)內(nèi)第一條8英寸IGBT專(zhuān)業(yè)芯片線，并于今年6月正式投產(chǎn)。10月，自主IGBT模塊成功通過(guò)功率考核試驗(yàn)，并于當(dāng)月底裝載至昆明地鐵1號(hào)線城軌車(chē)輛。