住友電氣工業(yè)（住友電工）將涉足SiC功率元件業(yè)務。該公司將利用通過日本產業(yè)技術綜合研究所的“Tsukuba Power-Electronics Constellations（TPEC）”試產線確立的量產制造技術開展業(yè)務。業(yè)務開始的具體時間未定，不過該公司預計SiC功率元件市場到2020年左右將形成規(guī)模，所以“將在此之前啟動業(yè)務”。住友電工此前已試制出SiC功率元件和功率模塊等，并在學會及展會等場合進行了展示，但當時沒有明確是否開展商業(yè)化運作。

　　住友電工的SiC功率元件的特點是在柵極部分挖V字型溝道的MOSFET。在柵極部分挖溝的普通溝道型MOSFET，溝道側面與元件表面垂直，而住友電氣工業(yè)的試制品是V字型溝道，溝道側面與元件表面斜交。通過V字型溝道，可以形成缺陷少的氧化膜界面，能夠實現(xiàn)低導通電阻。比如，耐壓1200V產品實現(xiàn)了2.0mΩcm2的低導通電阻。電流值為50A。

　　由于缺陷少，閾值電壓的變動也很小。在175℃、1000小時內，閾值電壓變動量在0.12V以下。

　　住友電工在2015年5月舉行的功率半導體國際會議“第27屆International Symposium on Power Semiconductor Device & ICs（ISPSD）”上發(fā)布了具有上述特性的SiC MOSFET。這是利用口徑6英寸的SiC基板制成的。芯片尺寸為3mm見方。

　　另外，發(fā)布者獲得了ISPSD的年輕人最優(yōu)秀獎（Charitat Award）。