韓媒NEWSIS報導，韓國半導體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進入量產的技術，在這之前業(yè)界采用的是水平結構，3D垂直堆疊技術成為克服制程瓶頸的解決方案。

　　3D NAND比20納米級產品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小。基于上述優(yōu)點，對于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺的相關服務，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技術。

　　以資訊為主的平臺服務常伴隨傳輸大量的資料與數(shù)位內容，業(yè)者必須擴大對服務器的投資，連帶引起儲存存儲器的需求增加，刺激3D NAND的需求成長，因此半導體業(yè)者開始瞄準3D NAND市場商機。

　　除三星之外，SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)等業(yè)者也爭相進行3D NAND投資。三星在2013年8月宣布進入3D NAND量產，2014年第1季正式于西安工廠投產，從此明顯拉開與同業(yè)的技術差距。

　　業(yè)界認為，三星因積極投資獲得領先對手3年左右的技術差距，2016年仍維持積極攻勢，以強化市場上的領導地位。三星計劃在5年內量產達1TB等級的固態(tài)硬碟，近期已推出屬于平價產品線的750 EVO 500GB SSD，準備以多種產品策略搶攻市場。

　　相形之下，起步較晚的存儲器業(yè)者長期遭遇3D NAND制程上的良率問題，業(yè)界認為這些業(yè)者在2016年后才可能擴大投資。

　　SK海力士正努力縮小與三星的技術差距，2016年第2季之后3D NAND產線稼動，可望降低生產成本，加速追趕三星。業(yè)界認為，SK海力士若要提升在3D NAND市場的影響力，除了積極進行投資之外，還應采行對國外業(yè)者的購并策略。

　　美光、英特爾、東芝等業(yè)者的3D NAND產線預計在2016年第2季之后正式稼動，究竟誰能在趨于白熱化的3D NAND競爭之中脫穎而出，成為業(yè)界的觀戰(zhàn)焦點。