《電子技術(shù)應用》
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開關(guān)頻率的提高受限于哪些因素

2016-09-13
來源:ZLG致遠電子
關(guān)鍵詞: 開關(guān)電源 MOS管 變壓器 PCB

  開關(guān)電源產(chǎn)品日趨要求小型、輕量、高效率、低輻射、低成本等特點,增大開關(guān)電源產(chǎn)品的功率密度,可以通過提高其工作頻率來實現(xiàn),但高頻化產(chǎn)品會產(chǎn)生一系列工程問題,從而限制了開關(guān)頻率的提升。

  開關(guān)電源產(chǎn)品在市場的應用主導下,日趨要求小型、輕量、高效率、低輻射、低成本等特點滿足各種電子終端設(shè)備,為了滿足現(xiàn)在電子終端設(shè)備的便攜式,必須使開關(guān)電源體積小、重量輕的特點,因此,提高開關(guān)電源的工作頻率,成為設(shè)計者越來越關(guān)注的問題,然而制約開關(guān)電源頻率提升的因素是什么呢?

  一、開關(guān)頻率的提高,功率器件的損耗增大

  1、開關(guān)管限制開關(guān)頻率的因素有哪些?

  a、開關(guān)速度

  MOS管的損耗由開關(guān)損耗和驅(qū)動損耗組成,如圖1所示:開通延遲時間td(on)、上升時間tr、關(guān)斷延遲時間td(off)、下降時間tf。

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  圖1

  以FAIRCHILD公司的MOS為例,如表1所示:FDD8880開關(guān)時間特性表。

  表1

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  對于這個MOS管,它的極限開關(guān)頻率為:fs= 1/(td(on)+ tr+ td(off)+ tf) Hz=1/(8ns+91ns+38ns+32ns) =5.9MHz,在實際設(shè)計中,由于控制開關(guān)占空比實現(xiàn)調(diào)壓,所以開關(guān)管的導通與截止不可能瞬間完成,即開關(guān)的實際極限開關(guān)頻率遠小于5.9MHz,所以開關(guān)管本身的開關(guān)速度限制了開關(guān)頻率提高。

  b、開關(guān)損耗

  開關(guān)導通時對應的波形圖如圖2(A),開關(guān)截止時對應的波形圖如圖2(B),可以看到開關(guān)管每次導通、截止時開關(guān)管VDS電壓和流過開關(guān)管的電流ID存在交疊的時間(圖中黃色陰影位置),從而造成損耗P1,那么在開關(guān)頻率fs工作狀態(tài)下總損耗PS= P1 *fs,即開關(guān)頻率提高時,開關(guān)導通與截止的次數(shù)越多,損耗也越大。

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  圖2

  總結(jié):開關(guān)速度、開關(guān)損耗是限制開關(guān)頻率的兩個因素。

  1、變壓器的鐵損限制了頻率的提高

  變壓器的鐵損主要由變壓器渦流損耗產(chǎn)生,如圖3所示,給線圈加載高頻電流時,在導體內(nèi)和導體外產(chǎn)生了變化的磁場垂直于電流方向(圖中1→2→3和4→5→6)。根據(jù)電磁感應定律,變化的磁場會在導體內(nèi)部產(chǎn)生感應電動勢,此電動勢在導體內(nèi)整個長度方向(L面和N面)產(chǎn)生渦流(a→b→c→a和d→e→f→d),則主電流和渦流在導體表面加強,電流趨于表面,那么,導線的有效交流截面積減少,導致導體交流電阻(渦流損耗系數(shù))增大,損耗加大。

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  圖3

  如圖4所示,變壓器鐵損是和開關(guān)頻率的kf次方成正比,又與磁性溫度的限制有關(guān),所以隨著開關(guān)頻率的提高,高頻電流在線圈中流通產(chǎn)生嚴重的高頻效應,從而降低了變壓器的轉(zhuǎn)換效率,導致變壓器溫升高,從而限制開關(guān)頻率提高。

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  圖4

  二、開關(guān)頻率的提高,EMI設(shè)計、PCB布局難度增大

  假設(shè)上述的功率器件損耗解決了,真正做到高頻還需要解決一系列工程問題,因為在高頻下,電感已經(jīng)不是我們熟悉的電感,電容也不是我們已知的電容了,所有的寄生參數(shù)都會產(chǎn)生相應的寄生效應,嚴重影響電源的性能,如變壓器原副邊的寄生電容、變壓器漏感,PCB布線間的寄生電感和寄生電容,會造成一系列電壓電流波形振蕩和EMI問題,同時對開關(guān)管的電壓應力也是一個考驗。

  要提高開關(guān)電源產(chǎn)品的功率密度,首先考慮的是提高其開關(guān)頻率,能有效減小變壓器、濾波電感、電容的體積,但面臨的是由開關(guān)頻率引起的損耗,而導致溫升散熱設(shè)計難,頻率的提高也會導致驅(qū)動、EMI等一系列工程問題。


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