臺積電7納米晶圓制程進度飛快，繼先前傳出要在2018年第1季放量生產7納米芯片、比英特爾(Intel Corp.)足足快三年之后，最新消息顯示，臺積電內部預估，7納米最快明(2017)年4月就可開始接受客戶下單。

　 　25日報道，臺積電研發(fā)單位已在內部會議中，揭露未來幾年的最新研發(fā)藍圖，根據(jù)幾名資深高層的說法，該公司今年底就會轉換至10納米，7納米則會在明年 試產、估計明年4月就可接單，而16納米FinFET compact制程(FFC，比16FF+更精密)也將在今年導入。7納米制程可大幅提升省電效能(時脈約3.8Ghz、核心電壓(vcore)達 1V)，臨界電壓(threshold voltage)最低可達0.4V，適用溫度約為150度。

　　報道稱，跟16FF+相較，10納 米FinFET制程可讓芯片尺寸縮小50%、運算效能拉高50%、耗電量降低40%。相較之下，7納米(采的應該是FinFET制程)的運算效能只能拉高 15%、耗電量降低35%，電晶體密度增加163%，改善幅度遠不如10納米。這是因為，臺積電的10納米FinFET制程大約等同英特爾的14納米，7 納米制程則大致跟英特爾的10納米相當、甚至較遜。

　　超微(AMD)早已暗示會從16納米制程直接跳至7納米，但晶圓代工合作伙伴格羅方 德(GlobalFoundries)的7納米卻要等到2018年才會試產，比臺積電晚了近一年之久。超微早已修改了協(xié)議，合作伙伴不再僅限于格羅方德， 假如臺積電的制程遠優(yōu)，那么超微完全有可能倒戈投向臺積電的懷抱。

　　Fudzilla甫于9月9日報道，臺積電高層在本周的SEMICON Taiwan國際半導體展表示，7納米制程有望在2018年Q1放量生產。臺積電從2014年初開始投入7納米制程研究，預定2017年上半進入風險生產(Risk Production)，再過一年后量產，搭載7納米芯片的消費產品應可同時上市。

　　臺積電在SEMICON展前記者會表示，該公司的7納米芯片效能應會優(yōu)于同業(yè)，相信未來四年成長將來自智能機、高性能計算(HPC)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車產業(yè)。四月份臺積電表示，有20名顧客對7納米制程感興趣，預料明年有15位客戶會設計定案(tape-out)。

　　外媒從英特爾的征才啟示抽絲剝繭，發(fā)現(xiàn)似乎暗示7納米量產時間延至2021年，追不上臺積電的2018年，慢到連車尾燈都看不到。

　　The Motley Fool先前報道，英特爾在印度班加羅爾尋找處理器設計工程師，原本內容寫明，負責研發(fā)預定2020年問世的處理器核心和圖形卡，使用英特爾前瞻的7納米制程。不過近來英特爾修改征人告示，時間從2020年改為2022年。