1.3.11片上調(diào)試支持

片上調(diào)試支持下面的特征：

支持多處理器的調(diào)試，讓用戶控制內(nèi)嵌在器件中的多CPU核，比如：

單個或多個處理器的全局啟動調(diào)試和停止

每個處理器能產(chǎn)生觸發(fā)，這可用于改變其它處理器的執(zhí)行流程

系統(tǒng)時鐘定時和掉電

多器件的互聯(lián)

通道觸發(fā)

目標(biāo)調(diào)試，使用：IEEE1149.1（JTAG），或IEEE1149.7端口

在正常運行模式下，功耗的降低

調(diào)試子系統(tǒng)包括：

IEEE1149.7適配器

模擬和測試控制使用通用的TAP

調(diào)試存取端口（DAP）

內(nèi)嵌的追蹤宏（ETM）

追蹤端口接口單元（EPIU）

內(nèi)嵌的追蹤緩沖（ETM）

模擬腳管理（EPM）

交叉觸發(fā)（XTRIG）

調(diào)試子系統(tǒng)還提供：

CJTAG_ADAPTER基本的掃描配置支持

ICEMelter，用于控制模擬電源域的喚醒和掉電

L3_INSTR CORE儀器互聯(lián)

OCP觀測點（OCP-WP）用戶監(jiān)視L3互聯(lián)交易，這發(fā)生于目標(biāo)交易屬性與用戶定義屬性匹配或外部調(diào)試事件觸發(fā)的時候。

電源管理事件分析器

時鐘管理分析器

統(tǒng)計信息收集器

1.3.12電源、復(fù)位、時鐘管理

PRCM模塊實現(xiàn)對時鐘和電源的高效控制以滿足性能要求的同時還降低電源功耗。PRCM模塊劃分成：

電源和復(fù)位管理（PRM）：

動態(tài)時鐘門控

動態(tài)調(diào)整電壓和頻率

動態(tài)電源切換

靜態(tài)泄漏管理

時鐘管理（CM），用于時鐘的產(chǎn)生和分配，減少動態(tài)功耗。

1.3.13片上內(nèi)存OCM

器件包括多達3個片上內(nèi)存控制器OCMC實例，帶ECC的關(guān)聯(lián)RAM。總共容量達2.5MiB。

OCMC RAM可實現(xiàn)環(huán)形緩沖（要求8MiB虛擬地址空間）。

一個OCMC帶關(guān)聯(lián)ROM，容量256KiB

在喚醒域，存儲和恢復(fù)內(nèi)存/暫存。

1.3.14內(nèi)存管理

系統(tǒng)DMA控制器具有128個硬件請求，32個優(yōu)先級的邏輯通道，256x64bitFIFO在有效的通道間可動態(tài)定位.

EDMA控制器支持2個同時讀和兩個同時寫物理通道，多達64個可編程邏輯通道。

動態(tài)內(nèi)存管理（DMM）模塊，執(zhí)行全局地址翻譯，地址旋轉(zhuǎn)（tiling）和在兩個EMIF通道間的交織存取

2個內(nèi)存管理單元（MMU）具有4KiB、64HiB、1MB、16MB可編程頁尺寸和32個entries  TLB

MMU1專屬于EDMA

MMU2專屬于PCIe

1.3.15外部內(nèi)存接口

兩個32bit DDR控制器（EMIF1和EMIF2），每個都具備下面特點：

SECDED支持32bit和16bit/窄模式

可編程尋址模式，以定義SECDED保護區(qū)域

校驗位計算和存儲：所有SECDED保護地址區(qū)域進行的寫操作

校驗的驗證：所有SECDED保護地址區(qū)域進行的讀操作

1bit和2bit錯誤的統(tǒng)計

雙端口控制器，以實現(xiàn)不同應(yīng)用之間的高效內(nèi)存共享

每個內(nèi)存端口控制器有32bit數(shù)據(jù)通道，2個片選

每個片選支持2GiB空間，通過MPU擴展尋址范圍，提供總共4GiB可尋址的SDRAM空間。

EMIF1控制器支持一位出錯糾正兩位出錯檢測（SECDED：single bit Error Correction and Dual Error Detection）

通用目的內(nèi)存控制器（GPMC）支持下面類型的存儲器：

異步SRAM

異步或同步NOR FLASH內(nèi)存

NAND Flash 內(nèi)存，通過錯誤定位模塊（ELM）實現(xiàn)多達16bit的ECC

Pseudo-SRAM器件。

4 SPI模塊，支持1到4尋址字節(jié)，用于SPI NOR FLASH，高達66MHz單數(shù)據(jù)速率。