據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，美光大動(dòng)作在美對(duì)聯(lián)電及福建晉華可能竊取及使用營(yíng)業(yè)秘密一事提出訴訟，聯(lián)電總經(jīng)理簡(jiǎn)山杰對(duì)此予以駁斥，強(qiáng)調(diào)聯(lián)電早年就生產(chǎn)過(guò)DRAM，本身?yè)碛胁簧貲RAM專(zhuān)利，事隔15年后決定自主研發(fā)DRAM技術(shù)， 目的是為了替臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)落實(shí)技術(shù)扎根。 以下是專(zhuān)訪紀(jì)要。

　　問(wèn)：聯(lián)電重新投入DRAM技術(shù)研發(fā)原因?yàn)楹危?/p>

　　答：聯(lián)電的本業(yè)是晶圓代工，順應(yīng)市場(chǎng)趨勢(shì)并強(qiáng)化晶圓代工的服務(wù)，聯(lián)電研發(fā)DRAM的經(jīng)驗(yàn)有助于新世化內(nèi)存的發(fā)展，包括MRAM（磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存）等，等于可以搶先進(jìn)入有潛力的新市場(chǎng)。 再者，聯(lián)電是借外部力量來(lái)研發(fā)DRAM技術(shù)，福建晉華支持研發(fā)費(fèi)用，雙方共同投入研發(fā)設(shè)備及技術(shù)，可快速研發(fā)速度，不會(huì)擠壓聯(lián)電的獲利表現(xiàn)。

　　聯(lián)電要獨(dú)立自主研發(fā)DRAM技術(shù)，另一個(gè)重要意義是為臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)落實(shí)技術(shù)扎根，這是當(dāng)年聯(lián)電與世界先進(jìn)完成自主研發(fā)DRAM技術(shù)后，相隔15年后再次有臺(tái)灣企業(yè)投入難度最大的DRAM研發(fā)工作，意義格外重大。

　　問(wèn)：美光對(duì)聯(lián)電提告的關(guān)鍵在于聯(lián)電多年未涉及DRAM研發(fā)及生產(chǎn)，聯(lián)電的技術(shù)來(lái)源為何？

　　答：聯(lián)電要自主研發(fā)DRAM技術(shù)。 聯(lián)電在晶圓代工市場(chǎng)多年，長(zhǎng)期投入研發(fā)已有很好的技術(shù)實(shí)力，連最先進(jìn)囗最復(fù)雜的14nm邏輯IC制程都自主研發(fā)成功并開(kāi)始投產(chǎn)，而且許多DRAM技術(shù)與聯(lián)電既有的邏輯技術(shù)相通。 至于在DRAM特有技術(shù)部分，則透過(guò)公開(kāi)的技術(shù)報(bào)告、逆向工程方式了解，再依據(jù)開(kāi)發(fā)路線落實(shí)。 事實(shí)上，DRAM工作原理沒(méi)有改變，現(xiàn)今的DRAM只是藉由更先進(jìn)的制程技術(shù)，達(dá)到每位更低成本的目標(biāo)，操作原理與15年前研發(fā)DRAM時(shí)相同。

　　問(wèn)：聯(lián)電的DRAM事業(yè)的營(yíng)運(yùn)模式為何？

　　答：聯(lián)電目前與國(guó)外DRAM設(shè)計(jì)公司合作，以達(dá)成及加速DRAM技術(shù)研發(fā)。 不同于三大DRAM廠有自己的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)，聯(lián)電本業(yè)是晶圓代工，所以與DRAM設(shè)計(jì)公司合作最符合聯(lián)電的營(yíng)運(yùn)模式，與經(jīng)驗(yàn)豐富的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)合作，可以減少研發(fā)過(guò)程中的許多不確定性因素，加快問(wèn)題解決的速度。 再者，聯(lián)電未來(lái)的DRAM技術(shù)研發(fā)成功后，會(huì)授權(quán)給晉華生產(chǎn)，但聯(lián)電并沒(méi)有投資晉華，未來(lái)也可爭(zhēng)取其它DRAM代工訂單。 聯(lián)電目前沒(méi)有自建DRAM產(chǎn)能計(jì)劃，不會(huì)與臺(tái)灣現(xiàn)有DRAM廠商競(jìng)爭(zhēng)。

　　問(wèn)：聯(lián)電自行研發(fā)的DRAM技術(shù)與美光的DRAM技術(shù)并不相同？

　　答：聯(lián)電不了解美光制造DRAM的內(nèi)容，因此無(wú)從說(shuō)明兩者之差異，但根據(jù)第三方TechInsights于2013年發(fā)表文章，有分析美光、爾必達(dá)、三星、SK海力士在30奈米制程世代的DRAM，美光采用直行式主動(dòng)區(qū)（Active Area，AA）設(shè)計(jì)，但聯(lián)電DRAM選擇交錯(cuò)式AA設(shè)計(jì)，與美光的記憶胞架構(gòu)明顯不同。 DRAM的記憶胞是技術(shù)上最核心之處，選擇不同的記憶胞架構(gòu)，代表了不同的研發(fā)道路，證明聯(lián)電和美光的技術(shù)核心不相同。

　　集微網(wǎng)消息，12月初美光科技在美國(guó)加州提起民事訴訟，控告聯(lián)電及福建晉華侵害DRAM的營(yíng)業(yè)秘密。

　　美光表示，該公司依據(jù)保護(hù)營(yíng)業(yè)秘密法，與反勒索及受賄組織法的民事條款，控告聯(lián)電與福建晉華竊取其商業(yè)機(jī)密及其他不當(dāng)行為；美光將積極保護(hù)其全球知識(shí)產(chǎn)權(quán)，以一切法律途徑，遏止任何不法濫用行為。

　　去年五月，聯(lián)電宣布與福建省晉華集成電路公司簽約合作，聯(lián)電接受晉華委托開(kāi)發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)。