我國擁有自主知識產權的三維NAND閃存芯片距離批量生產又進一步。4月11日上午，由紫光集團聯合國家集成電路產業投資基金、湖北集成電路產業投資基金、湖北科投共同投資建設的國家存儲器基地項目，首套芯片生產機臺進場安裝。這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入生產準備階段。年內，32層三維NAND閃存芯片將在中國光谷實現量產。

　　作為電子產品的制造大國和消費大國，中國通用存儲器需求占全球產能的50%。三維NAND閃存芯片多用于手機、高性能服務器，目前全部依賴進口，市場話語權被三星、東芝、鎂光等美、日、韓企業把控。紫光集團董事長趙偉國說，國家存儲器基地項目是中國集成電路閃存芯片產業規模化發展“零”的突破，更是打破西方國家壟斷的重要抓手。未來10年，紫光集團至少將投資1000億美元，推進相關產業發展。

　　長江存儲執行董事長高啟全介紹，接下來2到3個月內，近3000套生產機臺將陸續進場安裝調試，7月底8月初具備試生產條件，年內預計可生產出 5000片 32層三維NAND閃存芯片。2019年，32層三維NAND閃存芯片產量將提升至每年10萬片，當年底試產64層三維NAND閃存芯片。2020年，64層三維NAND閃存芯片產能將提升至每年10萬片，并研發具有全球先進水平的128層三維NAND閃存芯片。

　　武漢市市長萬勇表示，國家存儲器基地機臺搬入，是“中國芯”的一大步，也是“新武漢造”的一大步。期待“中國芯”在全球市場反響良好，期待基地第二、第三工廠盡早開工建設。

　　國家存儲器基地項目2016年3月正式啟動，分三期建設。至2020年，三期全部完工后，基地產能將達到每月30萬片，年產值超過100億美元，形成設計、測試、封裝、制造、應用等上下游集群。