國產(chǎn)內(nèi)存制造商紫光國微在深交所互動平臺上表示，目前國產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片正在順利研發(fā)中，紫光國微預(yù)計(jì)今年底就可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場。
之前紫光國微副總裁杜林虎已經(jīng)表示，未來紫光國微會在DRAM存儲器芯片產(chǎn)品方面加大投入，對于公司來說，DDR3內(nèi)存芯片是主流，而DDR4芯片會在年內(nèi)完成設(shè)計(jì)和生產(chǎn)。
紫光DDR4內(nèi)存采用DIMM（U－DIMM）和SO－DIMM開發(fā)。U型DIMM是“SCQ04GU03AF1C－21P”、“SCQ04GE03AF1C－21P”，SO－DIMM的2個(gè)型號為“SCQ04GS03AF1C－21P”、“SCQ08GS13AF1C－21P”。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。