在制程推進到10nm以內后，研發難度也越來越大，這點從Intel的10nm從2016年跳票到2019年就可以看出。此前，得益于三星背后的支持，GlobalFoundries(格羅方德，格芯)的7nm走在前列，而且今年3月還邀請少數資深記者前往旗下最先進的紐約Malta的Fab 8工廠，介紹他們計劃向7nm EUV推進。

　　然而，計劃趕不上變化，GF今日宣布，出于經濟因素考慮，擱置7nm LP項目，將資源回歸到12nm/14nm FinFET以及12FDX/22FDX上。

　　當前，GF的12nm/14nm多用在AMD的銳龍處理器、Radeon GPU上，12FDX/22FDX則可以提供優質的性價，可用于集成模擬和射頻組件的IC，如5G基帶。

　　按照AnandTech的報道，GF的5nm和3nm研發也將終止，今年底前逐步停掉與IBM硅研發中心在這方面的合作。

　　雖然，關鍵客戶AMD隨后宣布，7nm產品將由臺積電打造，且合作良好，但其實AMD和GF的確有基于7nm的研發計劃，包括五年期的晶圓協議也有7nm的框架。

　　外媒分析，GF此次宣布后，和IBM以及AMD可能需要重新就晶圓協議進行談判。

　　最后要說的是，GF退出后，四家明確使用7nm EUV技術的廠商便只剩下了三星、臺積電和Intel。按技術規劃，GF的7nm共有三代，第一代DUV，第二代部分引入EUV極紫外光刻，第三代密集使用EUV。

　　此前，世界第三大代工廠聯電(UMC)也在本月宣布放棄對12nm以下制程節點的研發。