2019年8月12日。日前，Vishay Intertechnology， Inc．宣布，推出新款60 V TrenchFET 第四代n溝道功率MOSFET－－－SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)電路的器件，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至4 mW，采用熱增強(qiáng)型3．3 mm x 3．3 mm PowerPAK？ 1212－8S封裝。Vishay Siliconix SiSS22DN專(zhuān)門(mén)用于提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的效率和功率密度，柵極電荷僅為22．5 nC，同時(shí)具有低輸出電荷（QOSS）。

與邏輯電平60 V器件不同，SiSS22DN提高了典型VGS（th）和Miller（米勒）平臺(tái)電壓，適用于柵極驅(qū)動(dòng)電壓高于6 V的電路，器件最佳動(dòng)態(tài)特性縮短死區(qū)時(shí)間，防止同步整流應(yīng)用發(fā)生擊穿。SiSS22DN業(yè)內(nèi)低導(dǎo)通電阻比排名第二的產(chǎn)品低4．8％—與領(lǐng)先的邏輯電平器件不相上下—QOSS為34．2 nC，QOSS與導(dǎo)通電阻乘積，即零電壓開(kāi)關(guān)（ZVS）或開(kāi)關(guān)柜拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)中，MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）達(dá)到最佳水平。為實(shí)現(xiàn)更高功率密度，器件比6 mm x 5 mm封裝類(lèi)似解決方案節(jié)省65％的PCB空間。

SiSS22DN改進(jìn)了技術(shù)規(guī)格，經(jīng)過(guò)調(diào)校最大限度降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，多電源管理系統(tǒng)構(gòu)件可實(shí)現(xiàn)更高效率，包括AC／DC和DC／DC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)同步整流、DC／DC轉(zhuǎn)換器主邊開(kāi)關(guān)、降壓－升壓轉(zhuǎn)換器半橋MOSFET功率級(jí)，以及通信和服務(wù)器電源OR－ing功能、電動(dòng)工具和工業(yè)設(shè)備電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制和電路保護(hù)、電池管理模塊的電池保護(hù)和充電。

MOSFET經(jīng)過(guò)100 ％ RG和UIS測(cè)試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素。

SiSS22DN現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為30周，視市場(chǎng)情況而定。