中國(guó)，2020年5月13日 – 意法半導(dǎo)體推出高能效和低功耗為特色的反激式轉(zhuǎn)換器副邊同步整流（SR）芯片SRK1000A和SRK1000B，該產(chǎn)品系列現(xiàn)在新增一款更劃算、封裝更小的產(chǎn)品，可用于充電器、快速充電器、適配器和USB PD端口。

    這兩款器件采用最小延遲快速導(dǎo)通設(shè)計(jì)和創(chuàng)新的自適應(yīng)關(guān)斷技術(shù)，無(wú)需增加外部組件即可最大限度延長(zhǎng)同步整流MOSFET管的導(dǎo)通時(shí)間，并最大程度降低電路中的寄生電感效應(yīng)，從而使電路系統(tǒng)能效大幅改善，物料清單成本明顯降低。

    SRK1000A和SRK1000B兩款產(chǎn)品都能用于各種反激式控制器，包括高達(dá)300kHz固定頻率的準(zhǔn)諧振（QR）和CCM／DCM混合模式反激式拓?fù)洌?jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。兩款器件都可以通過(guò)選擇電阻來(lái)設(shè)定導(dǎo)通（TON）后的消隱時(shí)間，以防止噪聲引起雜散問(wèn)題。SRK1000A關(guān)斷（TOFF）后消隱時(shí)間固定在2μs，SRK1000B是3μs。

    這兩款器件均有輕載低功耗省電模式，當(dāng)同步整流不再需要時(shí)，控制器便進(jìn)入低功耗睡眠模式。 實(shí)現(xiàn)方法是檢測(cè)原邊控制器是否進(jìn)入突發(fā)模式或同步整流MOSFET管的導(dǎo)通時(shí)間是否低于TON最小預(yù)設(shè)值。控制器低功耗模式靜態(tài)電流僅為160μA。

    SRK1000A和SRK1000B適用于最高19V的輸出電壓，在CCM模式下能夠?qū)⒎€(wěn)壓輸出保持至2V，支持4．5V－32V寬壓電源，漏－源極電壓額定100V。輸出灌電流高達(dá)1A，拉電流最高0．6A，用于控制外部N溝道同步整流MOSFET管的柵極。

    SRK1000A和SRK1000B均采用2．9mm x 2．8mm 6引腳SOT23－6L封裝。