最新數(shù)據(jù)顯示，ASML在12月中完成了第100臺(tái)EUV光刻機(jī)的出貨。業(yè)內(nèi)預(yù)估ASML今年（2021年）的EUV光刻機(jī)產(chǎn)能將達(dá)到45~50臺(tái)的規(guī)模。

7納米及更先進(jìn)制程，必須借助光刻設(shè)備轉(zhuǎn)印半導(dǎo)體電路圖案。追逐先進(jìn)制程的芯片制造廠商中，臺(tái)積電和三星均已引入光刻機(jī)。目前，臺(tái)積電和三星已進(jìn)入5nm工藝的量產(chǎn)階段，臺(tái)積電代工的產(chǎn)品包括蘋果A14、M1、華為麒麟9000等，后者則包括Exynos 1080、驍龍888等。

據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報(bào)道，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域?qū)㈦娐忿D(zhuǎn)印到基板的設(shè)備市場(chǎng)上，尼康、佳能和荷蘭ASML這三家企業(yè)形成壟斷，但支持EUV技術(shù)的設(shè)備目前只有ASML成功實(shí)現(xiàn)商用化。

ASML表示，迭代到5nm后，EUV的層數(shù)達(dá)到了10~14層，包括但不限于觸點(diǎn)、過(guò)孔以及關(guān)鍵金屬層等過(guò)程。未來(lái)的3nm、2nm，對(duì)EUV的依賴將更甚。

另外，ASML定于明年中旬交付最新一代EUV光刻機(jī)TWINSCAN NXE:3600D，生產(chǎn)效率提升18%、機(jī)器匹配套準(zhǔn)精度改進(jìn)為1.1nm，單臺(tái)價(jià)格或高于老款的1.2億歐元（約合9.5億元人民幣）。