突破”卡脖子"難關,道阻且長,但行則將至。

光刻膠,又稱光致抗蝕劑,是整個光刻工藝中最核心的材料之一。在芯片生產中,光刻膠是必不可少的材料。但目前,光刻膠的國產化程度很低,國內晶圓廠商較多依賴進口。

據悉,根據不同技術類別,國內低端的g線/i線光刻膠自給率約為20%,KrF光刻膠自給率不足5%,而高端的ArF光刻膠完全依賴進口,也因此成為中國急需攻克的半導體卡脖子技術之一。

而近日國產光刻膠行業傳來了好消息。國內廠商南大光電宣布,該公司研發的高端ArF光刻膠已經獲得了國內某企業的認證,可用于55nm工藝制造。

5月31日晚間,南大光電發布公告稱,其控股子公司寧波南大光電自主研發的ArF光刻膠繼去年12月在一家存儲芯片制造企業的50nm閃存平臺上通過認證后,近日又在邏輯芯片制造企業55nm技術節點的產品上取得了認證突破,表明公司光刻膠產品已具備55nm平臺后段金屬布線層的工藝要求。

據悉,雖然本次南大光電的ArF光刻膠通過的是55nm工藝認證,但ArF光刻膠涵蓋的工藝技術很廣,可用于90nm-14nm甚至7nm 技術節點制造工藝,目前廣泛應用于高端芯片制造(包括邏輯芯片、 存儲芯片、AI 芯片、5G 芯片和云計算芯片等)。

目前,受全球“芯片荒”刺激,進口芯片普遍漲價,而國內本土晶圓廠也收獲了大量訂單,這使得芯片生產中所需的上游原材料更是供不應求。受此利好,國產光刻膠也接到了不少訂單。

不過,在極高的技術壁壘下,光刻膠市場仍常年處在美國和日本幾家公司的壟斷格局之下。據悉,目前JSR、信越化學等TOP5廠商占據全球87%的份額。

國外壟斷化加上光刻膠本身的保質期較短(6-9個月),一旦遇到突發事件,對我國芯片制造就會造成負面影響。因此,光刻膠的國產化勢在必行,而此次南大光電的技術突破,顯然為此開了個好頭。