丨劃重點

　　①尼康可生產浸沒式光刻機，TEL更是取代美國AMAT，LAM關鍵設備的唯一廠家。利用荷蘭與日本構建的非美產線，可以規避美國技術封鎖，很顯然美國也意識到這一點，才會有這次的三方會議。

　　②這兩年國內半導體行業很大部分是構建非A芯片產線，以緩解美國對國內芯片制裁的壓力，而現在美日荷三方協議達成則正式宣布非A產線的大門正式關閉，未來芯片的先進制程設備只剩下國產這一條路。

　　③整個芯片工藝最困難的除了光刻機以外，還有薄膜沉積、刻蝕、量測檢測、離子注入、涂膠顯影這幾個關鍵環節目前國產完全無法突破，差距較大。

　　④主要制造環節最快五年打通28nm全國產，算上光刻機，也就是說以目前傾全國之力，一切順利的情況下，我們將在7年后也就是2030年“有機會”用全國產設備生產28nm的芯片。

　　作者 丨吳梓豪，20年半導體經驗，國內多個fab建廠小組負責人

　　正文：

　　一場針對中國芯片設備出口限制的會議于1月27號在華盛頓結束談判，美日荷三國就對限制中國先進設備出口限制達成協議。

　　該會議結束后一天，荷蘭光刻機制造商ASML隨即罕見的發布聲明，“據我們了解，政府之間已采取措施達成協議，該協議將專注于先進的芯片制造技術，而且不只是先進的光刻工具被限制。”

　　一直以來ASML對涉中相關言論都是謹言慎行，甚至在三天前ASML CEO Peter Wennink才剛說， “你給中國施加的壓力越大，他們就越有可能加倍努力打造可以媲美ASML的光刻機。盡管這需要時間，但最終他們會達到目標。”

　　Peter Wennink說，總體而言，出口管制將“造成一定程度的破壞，影響效率和創新，這會波及到我們所有人。”

　　荷蘭首相呂特27號表示，新的半導體出口限制是一個敏感話題，與美國談判多時，即便有了成果，也不會對外界公開太多。歐盟執委布雷頓在27號當天也直接表示他完全同意剝奪中國獲取最先進芯片的戰略。

　　如此看來，歐盟與荷蘭政府對該國企業的呼吁無動于衷，ASML罕見的聲明預示著美日荷三方對中限制協議正式落地。

　　作者于去年12月美荷開始第一輪談判即發文表示此事的嚴重性，因為這兩年國內半導體行業很大部分是構建非A芯片產線，并在這兩年建立起幾條非A產線，以緩解美國對國內芯片制裁的壓力，而現在美日荷三方協議達成則正式宣布非A產線的大門正式關閉。未來芯片的先進制程設備只剩下國產這一條路，沒有其他方法。

　　01

　　國產芯片設備情況到底如何?

　　目前中國芯片制造在幾個領域是沒辦法國產的，我們以2022年最新裝機的fab中芯京城28nm產線為例，第一期的國產化率也僅僅只有25%，即便門坎最低的清洗，去膠設備目前也只能做到50%的國產化率，清洗及去膠最關鍵的環節還是得用迪恩士，迪士科等進口設備，其他設備就更不用說了。

　　整個芯片工藝最困難的除了光刻機以外，還有薄膜沉積、刻蝕、量測檢測、離子注入、涂膠顯影這幾個關鍵環節目前國產完全無法突破，差距較大。

　　作者提供的訊息是目前業內的真實現況，與自媒體或某些國產設備商發布的這里突破封鎖，那里又攻關完成，國產芯片設備似乎只差光刻機一個環節完全不一樣，事實上每個環節的關鍵國產無一例外完全無法取代，即便是門坎最低的環節。

　　以目前推進國產設備最積極的中芯國際為例，2021年的新廠中芯京城國產化率只有25%，經過這幾年花大力氣幫所有Vendor做認證，因為要采購國產設備，得先經過大量測試，認證合格才能采購，而這兩年幾乎所有Fab都將認證標準大幅度降低，2023年的新招標，在政府的要求之下最多也只能將國產化率拉到45~50%，而這50%都屬于相對容易攻克的部分。

　　可以很負責任的說，目前國產設備中最好的環節是去膠設備，已有國產去膠機，性能已經接近Disco與LAM，但即便如此也只能拉高到70%，剩下的3成我們還是做不到。

　　國內Fab在官方要求下，盡量拉高國產化率，這是需要付出很大代價的，就是良率大幅度下降，良率拉升時間也需要更多的時間，以中芯國際為例其28nm含美線良率再85%左右，25%國產化率的非美線不到7成，最終估計可以拉到75%，但也落后含美的85%，可想而知，如果國產化率進一步提升到5成，良率大概率會落在60%左右，作為對比的是臺積電28nm良率96%。

　　我們得明白一般Fab需要達到8成良率才能損益平衡，國產化帶來的是國內Fab在28nm以下先進制程，長期會再虧損線之下，當然目前國內Fab接受政府許多的補貼以及大量政策扶持的貸款以維持現金流與利潤，但這并非常久之計。

　　單單以28nm來說，先扣除目前完全無法做的光刻機以及部分高門坎設備，將CVD、ETCH、量測檢測、離子注入、涂膠顯影、CMP、爐管、清洗、去膠等國產設備能做的拉高到50%的國產化率，個人預估良率最終會落在65%，然后經過幾年的優化與設備一代一代的更迭， 3年后50%國產化率的28nm產線估計能達到85%。

　　如果光刻機那些原本無法做的設備，我們又攻關成功持續加入進來這將是一個需要非常漫長的過程，大概率這條28nm產線，需要十年甚至更多的時間才可能達到100%的國產化率以及超過損益平衡的良率，而這十年需要國家不斷的補貼，才能存活，然而我們剛剛談的只是28nm，未來14、10、7、5nm我們還得重復這些過程，當然這些追趕過程是動態的，技術攻關也是同時進行的，如果全國產設備能實現100%國產，后續的追趕時間必然能大大縮短。

　　作者的比喻最重要的是想大家明白，目前國產芯片設備絕非媒體或者設備商自己宣傳那般樂觀，比如中微宣傳的刻蝕已經能做到5nm，而這5nm只是刻蝕的其中一環CCP介質刻蝕里的十多種設備中最容易的普通通孔刻蝕， 整個芯片不論前后道制程ICP與CCP一共接近30種刻蝕設備，中微與北方華創無一例外，只能做最容易的那1/4，其中最簡單的確實能做到5nm，剩下門坎較高的一律還是LAM、AMAT、TEL所壟斷，沒有任何例外，而這就是設備商的宣傳套路。

　　剛才提到的是無到有的階段，也就是設備至少能做的出來，經過基本測試通過，再上線去跑片，剛才我們提到國產化率越高良率越低，這需要不斷累積經驗，一代又一代的優化與更迭，才能達到進口設備的良率，所以從無到有是一個艱難的過程，從有到符合基本良率也是一個困難的過程，從達到基本良率到很好良率同樣是一個不容易臺階，現在全球芯片領域能達到目前水平，是無數世界最頂級工程師，數十年來從Fab從芯片制造過程累積經驗，不斷修改完善，不斷更迭更新而來的。

　　即便如此，諸如我們熟知全球最牛的光刻機設備商ASML，其不只是再研發最先進的光刻機，他們前幾代的老舊產品同樣是在不斷更迭，通過與現場生產工程師的問題發現，不斷去優化，每年再這些老舊設備上的軟件代碼都是大量的增加中，這完全只能再生產中累積的經驗才是最寶貴的。

　　當然現在國內的芯片產業最重要的是先解決無到有的問題，先有了才可能優化，作者只是希望大家能理解這過程，而不是今天某些廠家高調宣布出了樣機就以為能進Fab生產芯片了，這是一個很大的誤解。

　　02

　　為甚么是日本與荷蘭?

　　正是因為目前國產芯片制造設備能力還未達到先進水平，所以一直以來國內芯片制造還是以進口設備為主，2020年開始美國對中國的限制越來越大，被美國納入實體列表的中芯國際跟華為則利用日本以及荷蘭的設備構建了數條非美產線。

　　非美產線中除了我們熟知的荷蘭ASML光刻機以外，日本也非常關鍵，因為尼康也能生產浸沒式光刻機，TEL更是取代美國AMAT，LAM關鍵設備的唯一廠家。

　　所以，利用荷蘭與日本構建的非美產線是可以規避美國技術封鎖的辦法，很顯然美國也意識到了這一點，所以才會有這次的美日荷三方會議。

　　03

　　美日荷到底達成了什么協議?

　　這次美日荷協議基本上還是圍繞2022年美商務部BIS在10/7出臺的新規，限制中國對FinFET，GAA技術的芯片制造設備取得，而BIS 10/7新規的漏洞也就是我們一直仰賴的去美化設備在1月27號這次美日荷協議中全部堵死。

　　去年美BIS出臺的新規原文是針對FinFET，GAA等先進芯片技術的設備對中禁止出口，而FinFET技術就是指16/14nm以下的工藝節點， 所以針對16/14nm以下的美國芯片設備全部對中禁運，但國內芯片業主還能從日本荷蘭購買取代美國的芯片設備，這次美日荷三方協議重點就是光刻機的ASML與尼康以及具備全環節技術的日本最大芯片設備商東京電子TEL這三家頂尖的芯片設備企業。

　　這其中最具爭議的就是大家所矚目的光刻機，因為光刻機的工藝節點并不是以多少nm來界定，我們以浸沒式光刻機來說，它能涵蓋45~7nm的工藝節點。

　　ArFi的DUV光刻機的工藝節點顯然與美BIS針對14nm以下對中限制的規定出現了爭議，該設備如果禁止，那國內的所有45nm以下芯片等同宣告無法生產，這比美BIS的限制還高出一大截，這就是這次美日荷談判的重點之一，明確對中限制范圍以及相關作法。

　　荷蘭與日本顯然無法接受比美國還高的對中限制，根據作者與設備商的確認，目前國內某Fab的28nm光刻機交貨不受影響，也就是說這次的美日荷協議，基本就是按照2022年美BIS的新規，這次協議沒有加碼，28nm不受限制，只限制16/14nm以下。

　　為何同樣都是193nm ArFi光刻機，又是如何區分28nm與14nm呢? 其實ASML是有對應型號的，ASML可以根據型號來出貨，當然這里面有許多通用的硬件與軟件，ASML在交貨前會拿掉相關功能以確保該設備未來不會拓展到更高的工藝制程。

　　中芯國際于去年底剛剛采購的30多臺用于28nm以上的NXT1970以及1965CI的DUV浸沒式光刻機將會于2024年陸續到貨不受影響。這30多臺光刻機也就是中芯京城，中芯東方，深圳與天津四個新建Fab所需要的設備。

　　從圖四我們根據ASML的數據可以看出，有DUV光刻機可以做到7~5nm，其實7nm以下的制程是EUV+DUV完成的并不是由EUV單獨完成，EUV在7nm以下主要是刻最困難的金屬層，其他層還是由DUV來完成，5nm以及3nm還需要再加上SADP的雙重甚至多重曝光技術。

　　除了ASML的光刻機，這次談判也將尼康納入重點，因為尼康也具備ArF immersion的出貨能力，其2020年浸沒式光刻機有14臺訂單，2021年7臺，2022年4臺，這20多臺浸沒式光刻機的主要客戶就是Intel ，SMIC與華為。

　　這次美日荷談判以后，不論ASML還是尼康一律禁止再向中國出口14nm以下光刻機，由于目前國產光刻機進度落后，所以未來很長的一段時間，國內將面臨無先進光刻機可用，也就是說未來數年中國最先進的芯片工藝將很長時間停留在7nm。2021年在中芯南方交貨的2臺ASML NXT2050CI將成為中國芯片最先進工藝的獨苗，全國所有需求都將仰賴這兩臺最多1K的產能來制造7nm芯片，這樣的產能當然是遠遠不夠，要知道單單臺積電一家的7nm產能超過140k。

　　針對此次美日荷的三方協議，作者從多方訊息了解，基本可以肯定就是日荷跟進美BIS去年10/7的新規，并不作加碼，而且BIS新規中美籍公民不得向中國先進新片技術提供支持這條規定不會出現在美日荷協議中，也就是日荷籍的個人并不受限制。相關法規條款將會在幾個月內形成法律用以來規范日荷的相關企業，但在協議還沒落實為法案之前，ASML，尼康，TEL均會明確告知客戶不再接單，其實從去年10/7 BIS新規開始，日荷的設備商均以告知中國客戶14nm以下的設備不再出貨。這一次就是把這些落實為法律，讓其相關單位有法可循。

　　有一點作者要明確說的，其實一直以來所有進口設備商都是想盡辦法在幫忙中國客戶的，尤其是近兩年日荷設備商的協助，中芯國際去年底的30多臺光刻機是在11月份也就是美BIS新規之后下的訂單，ASML狂頂美國壓力接單，尼康這兩年大力發展原本快要放棄的浸沒式光刻機最大的原因也是因為中國市場，日本設備商因為幾乎沒有美國技術，在這兩年的非美線搭建上給足了相當大的支持.。

　　甚至去年10/7新規之后，美國設備商也是盡可能的協助中國客戶，這些進口設備商們態度基本都是一致的，只要沒形成法律，他們都會尋求自身利益最大化，因為這是它們本身的權益，只要沒形成法律，日荷政府也無法干預他們的企業，政府沒有法律以外的權力。

　　所以將相關協議落實成為法案就是美日荷對中國芯片圍堵的最后一步。

　　去年美國一系列的連環制裁手段，讓我們連喘口氣的機會都沒有，從10/7的BIS新規到12/15將國內唯一承擔光刻機攻關的單位上海微電子納入實體清單，到今年美日荷三方對中限制協議達成。

　　光刻機原本就是國產芯片設備所有環節中的最短版，美國直接把SMEE納入實體清單，這無疑是讓我們的短版，短上加短，對于芯片全國產化來說無疑是個沉重的打擊。

　　不過美國這次的打壓也是一面照妖鏡，退潮時就能知道誰在裸泳。這幾年資本市場大炒特炒的國內半導體設備商們，檢驗你們真章的時刻到了。

　　經歷2022年美國一系列目不暇給的制裁，作者回想剛來大陸的那時候，國內半導體行業一路走來，不知不覺已經取得如此大的成就，現在被美國視為眼中釘肉中刺，也是另類的一種實力證明。

　　2000千禧年開局，中國迎來了半導體工廠的瘋狂建設潮，在此之前，我們半導體行業已經與世界脫節了幾十年，世界主流的芯片制造技術，2000年的中國幾乎為零。

　　從99年的上海與日本合作的華虹NEC開始，到00年張汝京的世大被臺積電并購后，帶了百來號臺積電工程師在上海創立中芯國際，隨后短短數年，曹興誠的蘇州和艦，王文洋的上海宏力，天津摩托羅拉MOS-17、臺積電松江廠，幾乎在同一時間在祖國大地上拔地而起，數千名小島子工程師來到大陸。

　　這幾個來自日美臺的8寸廠成為了火種，上千名來自小島、幾十個來自日本美國的工程師帶領著本土新人，篳路藍縷手把手的從無到有建立起了中國半導體行業，一步一步開支散葉，后來陸續有學有所成的海外華人回國加入國內半導體的建設大潮，經過這些人的努力，一直發展到現在中國半導體在世界的一席之地。

　　即便20年后的今天依然有上萬名小島工程師，在中國各半導體企業的重要位置上發光發熱，為祖國科技領域添磚加微，比如帶領中國半導體突破finfet先進制程的梁孟松跟創辦國內最大芯片龍頭企業中芯國際的張汝京先生。

　　Richard當初創辦的世大半導體是作者踏入半導體行業的起點，后來并入臺積電，他帶了許多島子工程師來大陸創辦中芯國際，成為了所謂中國半導體教父。

　　作者記得第一次踏上祖國土地的2001年，在蘇州工業園，望著一望無際的土地，即便荒蕪的啥都沒有，但縱橫交錯的道路都早已建好，整個工業園一片欣欣向榮，準備好迎接著來自全世界諸如三星AMD這些頂尖企業，至今我仍然記得，當時和艦半導體建廠小組組長跟我說，你目光所及這一片望不到頭的土地都是批給和艦的，當時我心中的震撼，記憶猶新。

　　一切都是新奇與對未來的滿滿憧憬。

　　滄海桑田謂世事之多變，SMIC跟宏力落地的上海張江、和艦的蘇州工業園，如今與當初的荒涼相比，翻天覆地的變化簡直讓人無法置信。

　　而如今物是人非，當初的合作無間，現在卻成了劍拔弩張，另人唏噓。

　　好了不緬懷歷史，那是一段相當有意思的過去，現在想著都還是覺得好玩，這一路的演變與發展，作者有機會另開篇幅聊聊。

　　2022年面對美國商務部BIS的連環制裁，國內芯片行業如喪考妣，愁云慘霧，但即便如此每一家企業都不會輕易認輸，每個企業每個人都在想辦法。但真正的突破之道只有靠自己，自立自強。

　　04

　　國產光刻機能否成為中國芯片產業的救贖?

　　半導體行業最難跨越的喜馬拉雅山“光刻機”，目前只有一家單位在攻克光刻機那就是上海微SMEE，與其他設備或多或少有樣機在demo的情況不太一樣，光刻機至今為止都沒有樣機，包含能做到65nm的ArF dry 與能做28、14、10nm的ArFi 光刻機全部沒有，甚至在上一代的248nm的krf光刻機也難尋蹤影。

　　很多業外甚至廠商自己小圈子說樣機在哪小試中試等謠言，我可以很負責的說，以產業而言，可試的樣機一臺都沒有，很多只是他們小圈子里認為而已，拼裝起來連跑都跑不了只是做樣子的設備，以產業的角度來說不叫樣機。

　　作者相信SMEE或許很快就會出ArFi的樣機，但大家別高興太早，因為事實或許跟你想的有天壤之別。

　　對于國產光刻機，國內自媒體盡是故弄玄虛，什么利益相關，上下游相關的，也有科研系統的，各種云里霧里，我先說一下，我們的光刻機不需要任何保密，落后技術數代的技術要保什么密？

　　如果我們193nmArF光刻機搞出來了，美國還是一如既往的封殺，我們做出來或做不出來，對美國來說不影響他們的步調，而且咱們真做出來了，需要去fab試生產，需要在fab跟所有美國設備一起生產芯片，用美國設備檢測量測，所以這一切都逃不過美國，這才是重點。

　　光刻機不是核彈，只是有或者無的區別。

　　光刻機做出來得先從試驗機經過一代一代的改良變成量產機，這些步驟不可能秘密進行，因為都是需要與產線相結合的試生產，才能調適與改進，沒有可能忽然宣布我們有一臺量產沒毛病的光刻機，這是不可能的事，最多就是宣布我們的試驗機已經做出來或者通過驗收。但大家得明白宣布樣機成功與量產還有好幾年的路要走。不是宣布了就有設備能用在產線上。

　　所以只要在行業內，這些訊息都是對美國單向透明的，在網上談保密實在是令人啼笑皆非，咱們也得明白，我們國產光刻機里面的零配件大部分都得進口。重申一下，絕大部份零配件都是進口，這些零配件同樣以美日為主。

　　國產光刻機，落后數代的技術沒有保密的需要，美國知道會比咱們網上討論的更精細一百倍，所以更沒有保密的必要。

　　去年10/7新規之后的此時此刻，SMIC、ymtc、北方華創，中微正開放自己的工廠以及數據，讓美BIS檢查有沒有違規，SMEE也一樣，用以自證清白，希望能從 uvl 、實體清單中剔除自己或者避免自己變成實體清單，基本上都是查個底朝天，而網民們竟然在網路上談保密？在這種說法在業內眼中，簡直不可思議，這只能表明我們的輿論對這些行業常識，或者國際商務的基本認知識極度缺乏的。

　　我希望此回答能端正視聽，那些玄乎的云里霧里到，添油加醋的，盲目樂觀的，從其他上下游相關自己臆測的，能盡量減少，我們需要正確的專業與正常的輿論。

　　幾年前SMEE那臺號稱90nm的ssx600通過驗收合格，然后這一大幫人歡欣鼓舞媒體大書特書，緊接著這群人立馬訂定下一個更先進的目標，直接攻關193nmArF準分子激光浸潤式光刻機，02專項繼續風風火火大躍進攻關，形勢一片大好。

　　然而事實是那臺ssx600把所有utility接上，除了認證那會開機跑了起來，至始至終躺在那，怎認證通過到咱們就不說了，你沒跑產線，沒有量測，沒有上下道的工藝配合，最后芯片合格率、良率到底行不行，全部都沒有，這樣就驗收了？敢情這是能開機就可以驗收是嗎？

　　全球任何一家的前端半導體設備都是經過無數頂尖工程師，長時間不斷的累積經驗，不斷的改善問題，不斷的優化才達到今天的地步，你們這樣就驗收，完全不需要積累生產經驗，然后攻關下一個技術？

　　即便世界最牛的ASML數千臺設備在全世界各fab跑了好幾年，他們至今還是有大量工程師在不斷優化這些前幾代的光刻機，這些設備通過與無數客戶工程師，出現問題解決問題，每年軟件的代碼都不斷的大量增加。

　　再說一遍，設備真正在生產線跑，是全世界無數頂尖工程師，數十年不斷優化來的，而我們一臺設備驗收了，就再也沒人管。

　　有人總是說業內太悲觀，敢情完全違背科學常識的才叫不悲觀？驗收以后就扔在一旁，不進行優化不進行經驗累積，這是屬于悲觀跟樂觀的問題嗎？這只是常識問題好嗎！咱們再努力再厲害也得講最基本的科學常識不是嗎？并不是無腦吹捧才叫正常才叫不悲觀。

　　至于193nmArF準分子激光浸潤式光刻機，也就是SMEE宣稱能用在28nm的SSX800，也別說2022年底能不能出樣機，現在都2023年了，我就問問，華卓的twinscan emc兼容解決了嗎？國望的NA1.35鏡頭八字有一撇沒？科益的40w 4kHz ArF的光源intensity解決沒？啥時候能達到60w 6kHz能用的標準？啟爾機電的浸液系統溫控宣稱達到0.001度，請問如何取樣的?是全系統任何位置的DI Water都能達到0.001度還是只有傳感器周圍呢? 能長時間穩定維持嗎? 這溫控是在不停曝光的生產環節中取的還只是在啟爾自己的車間達成的? 如果是后者那將與未來的生產條件有天壤之別，而這所謂溫控只是千千萬萬的問題之一而已。

　　目前光刻機的關鍵子系統中，物鏡是由中科院上光所成立的國望負責NA1.35的物鏡，光源是由中科院光電所以及微電子所主導的科益虹源負責，負責雙工件臺的華卓精科是清華IC裝備團隊，負責浸液系統的是浙江大學所孵化的啟爾機電。

　　作者在芯片產業界20多年，一直認為學術界與我們產業界有相當大的鴻溝，國內科研體系似乎不太在意所謂量產，很大原因是科研系統的自成一派，依靠項目補貼就能很好的獲取不斐的收入，與產業界需要把產品真正做出來，并銷售出去以賺取利潤不同，想要賺錢必須把產品做到最好，獲取客戶認同，而科研系統的大神們似乎更關注有與無，東西能不能做出來，做出來達到設定的標準即可，而經過作者這20多年的觀察，我認為所謂指標大部分都是與產業界脫節的，所謂通過驗驗收的東西，可以說幾乎都是無法量產的。

　　當然或許科研系統或許只需要關注能不能做出來，后續的優化交由商業公司來做，但事實上我并沒有看到有任何所謂后續的優化，這是最大的問題。作者與中國臺灣工研院，臺交大也有接觸，他們科研人員并沒有依賴政府補貼的底層思維，可能因為補貼補本身不多，他們的思考邏輯都是如何做出比市場上有優勢的好產品，新技術產品，取代性產品，因為單純只是把東西做出來，對他們來說并不代表成功，而國內科研系統自成一派的高墻，作者一直以來難以理解。

　　SMEE的光刻機目前是所有國產設備最拉胯的，與其他設備或多或少都積極的demo不同，SMEE現在連拼湊無法用的樣機都難產，我相信SMEE還快會推出樣機來交差，并且鑼鼓喧天國產光刻機終于出來了，我想應該今年怎樣也得出來宣傳一波，但這根本毫無意義，fab連demo都沒辦法的，一切都還是在他們小圈子里自嗨，重復之前那些套路而已。

　　作者以一切都是順利來評估，5年是最快的時間，加上我們的剛才說的ICP、CVD、量測、電子束，Inline最快五年打通28nm全國產，但這還沒有包含光刻機，全國產還得算上光刻機，也就是說以目前傾全國之力，一切順利的情況下，我們將在7年后也就是2030年“有機會”用全國產設備生產28nm的芯片。

　　前幾年我們利用美國并沒有完全限死，用非A設備來過渡以生產芯片，目前國內fab手上的A與非A設備可以很容易生產14nm甚至10nm、7nm，但這里咱們談的是全國產，如果真要全國產，在經過多年傾全國一切資源的不懈努力之下，在2030年我們將不進反退，直接退到28nm。

　　試問2030年全世界至少都用上了臺積電的A14，我們還在生產28nm！我們舉全國之力耗費一切資源所完成的壯舉，到那時候還有多大作用？而完成這一切并非終點，后面緊接著還有EUV這一座喜馬拉雅山還得攻克。

　　美囯的封鎖確實能加速我們的科技研發，但如果放任這種無知的戰狼思維繼續影響社會，最終真演變到不可收拾的地步，那對我們將是滅頂之災，想掀桌子沒問題，但也得先看看自己目前幾斤幾兩，還需要靠別人奶說這話純屬無知，在還不具備實力的情況下應該是韜光養晦，假以時日，才能給予對方痛擊，一劍封喉，這才是可能的成功之道。

　　即便中國芯片在未來幾年有所重大突破，但以一己之力對抗全球所有頂尖科技郭嘉的聯手封鎖，路只會越來越難，而不是突破之后就是一片坦途與光明。

　　所謂突破只是保命，而非超越，但脫鉤的最終影響可以預見的是雙方技術差距擴大，而非縮小，目前內網所有訊息只放在突破這個點上，業內業外全部努力在尋求破解之道，但突破了之后呢？這同樣是我們應該了解的，而非走一步算一步，無厘頭的橫沖直撞，全網我們幾乎看不到有人說突破之后的道路會是如何？

　　我們現在所謂的突破也就是芯片設備全國產化也就是5年左右的事，快則3年慢則8年不一定，但不論3年還是8年都是這幾年就能突破的事，但突破以后的追趕甚至并駕齊驅則是需要耗費幾十年，大家沒想到吧！突破后的追趕才是真正費勁的，而非大家現在盯著的突破。

　　整個封鎖、突破以及追趕的過程可能是如此：突破前這幾年雙方擴大差距到最大，然后再緩慢微幅的拉進，在未來虛無縹緲的幾十年的時光里，我們或將有可能追平然后超越。

　　如果要量化來說，大概會是以下這樣的。

　　2022年，雙方差距3代（中7nm，西方3nm），但這是建立在中國使用美國或非美的日荷設備的基礎上，未來數年國產設備有所突破，也就是2027年（估算）國產芯片設備打通28nm包含光刻機在內的全部環節，雙方差距變成6代（中28nm，西方2nm）。

　　打通全環節國產設備之后，我們盡全力追趕，3年左右推進到14、10、7nm，也就是說2030年差距雙方差距拉進到5代（中7nm，西方A14）

　　此時我們將面臨EUV的阻礙，在提前研發與應對的情況下，3年后國產EUV真正商業化量產，2033年雙方繼續維持5代差距（中5nm，西方A10），在此之后，因為A10以下芯片開發難度上升，西方每拖推進一代變成4年，甚至更長 ，中方推進一代兩年，五代的差距，將在20年后追上，也就是2053年雙方技術差距抹平。而到那時候硅基芯片還在不在，或者還剩下多少應用，沒人能預估的出。

　　其實目前業界能能確定的芯片世代推進至少還有15年左右，未來摩爾定律的推進并不再依賴線寬的微縮，而是建立在新的堆疊技術，材料技術以及chiplet、先進3d封裝，各種新技術的疊加相乘，摩爾定律的推進在未來15年內毫無問題，15年后必然也會有目前不知道的新技術產生，至于15年后硅基芯片會不會被取代，那就是后話了，本估算暫不考慮這一點。

　　以上的預估為作者個人推算，或許能快一點，也可能比作者預估的更慢，這是依照芯片發展規律以及科學常識所推演的，即便很多變量作者沒有納入，但怎變都是萬變不離其宗，誤差幾年肯定有，但七七八八差不了太多。

　　這就是未來我們芯片追趕西方的真實情況，此時此刻是差距最小的（3代），短期「2年」差距拉大（4代），中短期「5年」差距拉到最大（6代），中期「10年」差距開始微幅縮小（5代），中長期「15年」差距繼續微幅縮小（4代），大約20年以后雙方差距可以重新拉近到現在2022年的3代差距，在折騰20年以后回到原本起跑點，大約30年以后有望雙方追平。

　　當然以上時間都是作者的大概推估，或許會比作者預估的快幾年或者慢幾年，但一切脫離不了基本科學或違背常識，短時間是不可能，即便這幾年我們還是會聽到各種這突破那突破的，但也都只能是宣傳套路，當然作者也希望真正突破的那一天，如果有新的消息，我也會第一時間更新，讓大家明白真實現況。

　　2030年量子計算或許都可能準備最初步的商用了，或許量子并非取代傳統計算，但最后的演變肯定會有大量的替代應用。而2030年我們才剛剛生產有能力落后的硅基芯片，大費周章終于能生產，馬上又出現全新的應用技術？又或者現在我們把時間與數萬億的資金放在很快淘汰的硅基芯片上而不是放在很快就能商用的量子計算上，這正確嗎？

　　這一切應該要有個周詳且考慮實際的實用的計劃，目前都是相關利益方的各種互相吹捧，互相打掩護，謀劃各種大餅，老百姓聽到這些雄圖大業集體高潮，認為不論花多少錢都值得，紫光與大基金殷鑒不遠，如果大家不覺醒，紫光這些破事只會不斷的重復又重復。

　　作者認為現在如此危機之時，中國半導體行業不能再這樣下去，首先必須要把問題全部掀開來，盡管滿目瘡痍，瘡疤都沒怕疼而沒勇氣去揭，那如何治療？

　　從14年大基金成立以來，我們一直高喊的國產，取代外企，解決卡脖子問題，快十年了，真正解決的卡脖子問題有幾個？行業里整天好消息滿天飛，飛了快十年了，市場一片期待，所有人信心滿滿，情緒用戶高喊越制裁越好，我們只會更快造出來，我們不需要任何協助，自己的全國產設備很快就能橫空出世。

　　05

　　而今這些設備在哪呢？

　　每每想到幾年前這些設備商的所作所為，作者總是不能自己，忿忿不平，但是有一說一，這兩年國產設備商確實有較大的進步，但也是從2020年華為的逼不得已才開始有大的進步，中央跟地方政府花了兩萬億以上，還沒算上設備商接受的政策性貸款以及ipo或者a股增資圈的錢，如此大的代價，近十年的時間，這點成績根本微不足道，大部分的錢被揮霍了。

　　作者非常支持現階段得通過大力補貼才可能有所突破，但作者從臺灣工研院的科研產學模式，與日韓當初的半導體行業補貼，都是政府用小錢來撬動整個行業，不論投入還是監督機制，都很合理，資金也非常高效的被利用，就連目前美國出臺史無前例最大手筆的520億美金芯片扶持計劃，這筆世界歷史上最大手筆在我們的芯片補貼面前根本是小巫見大巫，即便現在還屬于一事無成，我們已經花了兩萬億以上的民脂民膏，未來還得花更多，補貼是必須的，但無盡的浪費是不應該的。

　　咱們的資金效率太低太低，別人都是幾百億就搞的飛起，我們幾萬億卻跟打水漂沒區別，錢到底跑哪去了，這才是重點。

　　原本2020年底傳出的半導體萬億大補貼政策，現在胎死腹中，根本原因就是沒錢，現在壓根籌不出那么多錢，許多人以為錢是無窮無盡的，但根本不是如此，這些錢全部都是民脂民膏，都是民眾血汗錢，這里補貼多了，其他地方就少了，這里浪費掉了，其他人就分不到，如果都是優先重點確保這些，那民眾勢必只能繼續卷的飛起，下一代繼續卷，因為未來也一定還有其他重點要投入，一樣還會是關乎民族復興的頭等大事。

　　所以我們一定得關心這些錢的用處，讓錢用在實處，不能再隨便浪費，不計代價的隨便揮霍。

　　大基金去年抓了多少人，全部子孫公司以及項目負責人無一幸免全抓了，土壤沒變，一切都將是空中樓閣，不斷重復以前的問題而已。

　　眼看著現在這種局面，并不是作者想數落，更不是看行業笑話。現在應該如何處理，未來如何發展作者再去年BIS新規之后也寫了超過五萬字的建言，得到了無數業內的認可與打氣，作為一個從行業內半退休人員，作者自然愿意發揮自己的余熱，但每每想到行業做的一切，以及現在無知且跑偏的主流輿論，心理真的是特別憋屈。

　　輿論應該是發揮監督作用，吹捧只會寵壞了行業內的企業，讓這些不良廠家更加猖獗，劣幣驅逐良幣。大基金、紫光的事歷歷在目。

　　寫這篇文章的用意是想闡述目前真實情況，并非悲觀，更不是投降，而是希望大家全面清楚了解我們的處境，先有正確的認知，干活才可能事半功倍，如果任由無知的戰狼思維占據社會輿論，那未來我們將會跟現在一樣陷入一種無用功的狀態，業內一直在努力干活，而社會輿論一直添亂拖后腿，這絕非一個好的狀態。

　　06

　　后記

　　文章許多看法是這20年來作者所見所聞的總結，比如科研體系的所作所為跟產業脫節，產業界的騙補，補貼監管不足，更嚴重的多方聯合忽悠，加上媒體的推波助瀾，社會輿論的吹捧，誤國誤民的戰狼風氣等等。

　　作者目前已離開行業，目前在家帶帶小孩，輔導功課，離開行業之后，作者才能暢所欲言的說真話，有國內設備商聯系我別再寫，但被我拒絕，我認為這是作為一個人的基本正義感，如果還在業內我肯定還是會為了五斗米折腰。對于中國芯片行業，作者非常愿意提供自己的一份心力，發揮余熱，更希望未來我們的芯片或者科技能真正超越對手，期盼我用心寫的文章能端正社會對行業的認知，對行業發展起到一點正面作用。

　　對于目前的中國半導體行業，作者以為，之前的積極進取有作用，但韜光養晦亦有大用，任何事并不是只有進攻，啥時候進攻啥時候防守，攻防有序才是正道。ㄧ昧進攻而不得，最后將耗盡體力，功敗垂成，此時此刻大家真心不要著急，不要再給不良商人鉆空子，沈下心來好好想想。

　　國運之爭亦如人生亦似茶，沈時坦然，浮時淡然，靜心以對，沉淀方澈！

　　未來，誰主沉浮猶未可知？

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