奈梅亨，2024年12月12日：Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產品均采用創新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業內領先的功率密度和優越性能。創新型銅夾片設計能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機控制、電源、可再生能源系統和其他耗電應用。該系列還包括專為AI服務器熱插拔功能設計的特定應用MOSFET （ASFET）。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項，可實現高功率密度和可靠的解決方案。所有器件封裝均已在JEDEC注冊，并配備Nexperia交互式數據手冊，便于無縫集成。

　　標桿器件PSMN1R0-100ASF是一款0.99 mΩ 100 V功率MOSFET，能夠承載460 A電流并達到1.55 KW耗散功率，采用CCPAK1212封裝，僅占用12mm×12mm的電路板空間。PSMN1R0-100CSF的頂部散熱版本也具備類似的性能。

　　優越的性能表現與器件的內部結構緊密相關。CCPAK1212中的“CC”代表銅夾片（Copper Clip），這意味著功率MOSFET的晶圓夾在兩片銅片之間，一側是漏極散熱片，另一側是源極夾片。優化后的設計無需引線鍵合，進而可降低導通電阻和寄生電感，提高最大額定電流并改進熱性能。

　　CCPAK1212 NextPower 80/100 V MOSFET適合側重于高效率和高可靠性的耗電工業應用，包括無刷直流（BLDC）電機控制、開關電源（SMPS）、電池管理系統（BMS）和可再生能源存儲。這類單個大功率封裝的MOSFET可減少并聯需求、簡化設計，并提供更緊湊、更具成本效益的解決方案。

　　Nexperia此次推出的CCPAK1212系列中，還包括一些為特定應用而設計開發的新型MOSFET （ASFET），主要用于為日益增強的AI服務器實現熱插拔操作。這些器件的安全工作區（SOA）經過強化，可在線性模式轉換期間提供出色的熱穩定性。

　　本系列器件提供頂部和底部散熱選項，讓相關應用的工程師可以靈活選擇散熱途徑，尤其適用于因為某些熱敏感器件限制而無法直接通過PCB進行散熱的設計。

　　Nexperia產品部總經理Chris Boyce表示：“盡管我們擁有市場領先的性能，但我們知道，一些客戶對于采用相對較新的封裝進行設計時仍猶豫不決。為此，我們已經向JEDEC標準組織注冊了CCPAK1212，參考編號為MO-359。早些年推出第一款LFPAK MOSFET封裝時，我們就采用了類似的方法，因此現在市場上有許多兼容的器件。當創新能夠為客戶創造真正的價值時，市場很快就會給予響應。”

　　所有新款CCPAK1212 MOSFET器件均享受一系列先進的設計工具支持，包括熱補償仿真模型。Nexperia還將傳統的PDF數據手冊升級成了用戶友好型交互式數據手冊，其中新增了一項“圖形轉csv”功能，使工程師能夠下載、分析和解釋每個器件關鍵特性背后的數據。這不僅簡化了設計流程，而且增強了對設計選擇的信心。

　　Nexperia計劃將CCPAK1212封裝應用到所有電壓范圍的功率MOSFET及其符合車規級AEC-Q101標準的產品組合，以實現超高電流和出色熱性能，滿足下一代系統不斷變化的需求。

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