憶阻器最早由阻變存儲器，即RRAM實驗驗證，因此經(jīng)常以RRAM作為憶阻器的代表。

當(dāng)然，嚴(yán)格來說，根據(jù)材料和物理機(jī)制，憶阻器件可分為阻變存儲器（Resistive Random-Access Memory, 簡稱RRAM或ReRAM)，相變存儲器（PCRAM），磁隨機(jī)存儲器（MRAM）和鐵電隨機(jī)存儲器（FeRAM）等不同種類。此外還有光電憶阻器、有機(jī)材料憶阻器、流體憶阻器等。

憶阻器件有兩個典型的阻值狀態(tài),分別是高阻態(tài)(HRS)和低阻態(tài)(LRS),高阻態(tài)具有很高的阻值,通常為幾kΩ到幾MΩ,低阻態(tài)具有較低的阻值,通常為幾百Ω。初始情況下,即沒有經(jīng)過任何電激勵操作時,憶阻器件呈高阻態(tài),并且在電激勵下它的阻態(tài)會在兩個阻態(tài)之間進(jìn)行切換。憶阻器從高阻到低阻狀態(tài)的轉(zhuǎn)變?yōu)橹梦?SET)過程,從低阻到高阻狀態(tài)的轉(zhuǎn)變?yōu)閺?fù)位(RESET)過程。當(dāng)SET過程和RESET過程所施加電壓極性相同時,稱之為單極性阻變行為,電壓極性不同時,稱之為雙極性阻變行為。