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介紹
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??? DS1865突發(fā)模式PON控制器內(nèi)置監(jiān)測(cè)電路" title="監(jiān)測(cè)電路">監(jiān)測(cè)電路。該器件具有七個(gè)獨(dú)立的存儲(chǔ)器表，內(nèi)部排列成8個(gè)字節(jié)行。此外，該控制器還具有輔助存儲(chǔ)器，這些存儲(chǔ)器為EEPROM，可通過A0h從地址讀取。
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DS1865存儲(chǔ)器圖
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??? 低層存儲(chǔ)器的地址從00h至7Fh。該存儲(chǔ)器包含報(bào)警、預(yù)警門限、標(biāo)志、屏蔽和幾個(gè)控制寄存器" title="控制寄存器">控制寄存器，密碼輸入?yún)^(qū)域(PWE)和表選擇字節(jié)。參見圖1。
??? 表01h主要包括EEPROM (PW1級(jí)訪問權(quán)限)和一些報(bào)警、預(yù)警狀態(tài)字節(jié)。
??? 表02h是多功能區(qū)，包括配置寄存器" title="配置寄存器">配置寄存器、比例調(diào)節(jié)與失調(diào)存儲(chǔ)器、密碼、中斷寄存器以及各種控制字節(jié)。
??? 表03h是關(guān)鍵數(shù)據(jù)的用戶EEPROM區(qū)域，受PW2級(jí)加密保護(hù)。
??? 表04h包含溫度索引查找表" title="查找表">查找表(LUT)，用于控制調(diào)制電壓。調(diào)制LUT可以在-40°C至+102°C范圍內(nèi)，以2°C步長進(jìn)行設(shè)置。這些寄存器的訪問受PW2級(jí)加密保護(hù)。
??? 表05h包含另一個(gè)LUT，允許APC設(shè)置點(diǎn)作為溫度的函數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)，用于跟蹤誤差(TE)補(bǔ)償。TE LUT具有36項(xiàng)，能夠在-40°C至+100°C范圍內(nèi)，以4°C為間隔設(shè)置APC。該寄存器的訪問受PW2級(jí)加密保護(hù)。
??? 表06h包含一個(gè)MON4索引LUT，用于控制M4DAC電壓。M4DAC LUT具有32項(xiàng)，可配置" title="可配置">可配置為一個(gè)32項(xiàng)的LUT或兩個(gè)16項(xiàng)的LUT。當(dāng)配置為一個(gè)32項(xiàng)的LUT時(shí)，每一項(xiàng)對(duì)應(yīng)的步長為滿量程1/32。當(dāng)配置為兩個(gè)16項(xiàng)LUT時(shí)，前16項(xiàng)和后16項(xiàng)分別對(duì)應(yīng)滿量程的1/16。兩個(gè)16項(xiàng)都通過獨(dú)立的配置位進(jìn)行選擇。該寄存器的訪問受PW2級(jí)加密保護(hù)。
圖1. DS1865存儲(chǔ)器?
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寄存器參考值
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??? 以下表格給出了低層存儲(chǔ)器、表01h和表02h的簡(jiǎn)單參考值，有關(guān)每位功能的說明，請(qǐng)參考DS1865數(shù)據(jù)資料中對(duì)應(yīng)的寄存器。表03h、04h、05h和08h不需要單獨(dú)的參考值，這里沒有列出。(請(qǐng)參考數(shù)據(jù)資料了解這些表格的詳細(xì)信息。)
??? 注：RSVD是'Reserved”的縮寫。
低層存儲(chǔ)器 ?
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表01h ?
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表02h
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