2011年1月11日消息，光通信技術(shù)用于處理器芯片間及處理器內(nèi)核間數(shù)據(jù)傳輸?shù)目赡苄源鬄樘岣摺＿@是因?yàn)槊绹鳬BM開發(fā)出了以CMOS技術(shù)將光收發(fā)回路和電路集成于1枚芯片的技術(shù)“CMOS Integrated Silicon Nanophotonics”。IBM此次還公布了該技術(shù)投入使用的目標(biāo)時(shí)間。該公司稱,將把該技術(shù)應(yīng)用在定于2017～2018年開發(fā)的浮動(dòng)小數(shù)點(diǎn)運(yùn)算性能達(dá)1018FLOPS（Exa FLOPS）超級(jí)計(jì)算機(jī)（Exa機(jī)）處理器。
如果得以實(shí)現(xiàn)，則除處理器內(nèi)核內(nèi)部之外的數(shù)據(jù)傳輸用布線便可以用光通信技術(shù)封裝。這不僅對(duì)超級(jí)計(jì)算機(jī)，而且對(duì)多種電子設(shè)備的意義都很重大。
以WDM技術(shù)大幅削減布線數(shù)量
IBM認(rèn)為，要實(shí)現(xiàn)運(yùn)算性能為目前最快的超級(jí)計(jì)算機(jī)約1000倍的Exa機(jī)，處理器芯片間及處理器內(nèi)核間的數(shù)據(jù)通信實(shí)現(xiàn)光化是不可避免的。“人類的大腦也因相當(dāng)于處理器的灰白質(zhì)和相當(dāng)于通信網(wǎng)絡(luò)的白質(zhì)兩者兼?zhèn)洳诺靡杂行Чぷ鞯摹Ｈ绻踪|(zhì)的數(shù)據(jù)傳輸速度低，那么好不容易得到的灰白質(zhì)就不能發(fā)揮作用” （IBM硅整合納米光子項(xiàng)目主管Yurii A. Vlasov）。IBM指出，不用電而使用光的最大原因在于：通過應(yīng)用光通信領(lǐng)域的WDM（波分復(fù)用）技術(shù)能夠大幅減少物理布線數(shù)量。
IBM設(shè)想的Exa機(jī)的處理器是將集成于硅芯片上的處理器內(nèi)核、存儲(chǔ)器和光通信網(wǎng)絡(luò)三維層疊,并用TSV（硅貫通電極）連接起來的。構(gòu)成數(shù)據(jù)傳輸路徑的基本要素技術(shù)，與現(xiàn)在數(shù)據(jù)中心等使用的單位通道10Gbit/秒的光通信網(wǎng)絡(luò)沒有太大差別。
然而，巨大的差異在于集成度要高出幾個(gè)數(shù)量級(jí)。要將原來以100m為單位的光通信網(wǎng)絡(luò)縮小到1mm左右，即原來的10萬分之一左右的尺寸，并與驅(qū)動(dòng)電路等所需電路一起集成于Si芯片上。
突破混載的最大難關(guān)
IBM從2006年前后就已開始利用CMOS工藝開發(fā)要素技術(shù)。比如：光的延遲回路、調(diào)制器、開關(guān)及以高感度高速工作的受光器等。此次的目標(biāo)是用CMOS工藝將這些要素技術(shù)與電路混載。
最重要的一點(diǎn)是使受光器的形成在CMOS晶體管的源極/漏極激活，即燒結(jié)處理前完成。受光器是采用鍺（Ge）的APD（avalanche photodetector）。原來由于Ge的融點(diǎn)比較低，僅為約937℃，只能在CMOS晶體管的源極/漏極激活后形成受光器。IBM通過改變Ge APD的制造方法等，使在源極/漏極激活前就能夠形成Ge APD。
由此，“使用的掩模在光路和電路上幾乎可通用，制造工藝本身得到了大幅簡化”（IBM的Vlasov）。
課題是向量產(chǎn)技術(shù)的過渡
IBM采用此次的CMOS工藝，試制了發(fā)送端的驅(qū)動(dòng)電路、調(diào)制器和WDM，以及接收端的WDM、受光器和增幅電路等各種集成于硅芯片上的元器件。電路的集成采用了130nm工藝技術(shù)，光路的集成部分采用了65nm工藝技術(shù)。
單位通道的傳輸速度為20Gbit/秒，單位通道的占用面積僅占整個(gè)光收發(fā)器的約0.5mm2。IBM稱“占用面積為競爭對(duì)手的1/10以下”。IBM表示，現(xiàn)在的目標(biāo)是進(jìn)一步提高集成度，以實(shí)際4mm2左右的芯片面積實(shí)現(xiàn)相當(dāng)于數(shù)據(jù)傳輸容量1Tbit/秒的光收發(fā)器。
剩下的課題是將開發(fā)的技術(shù)應(yīng)用于量產(chǎn)工藝。IBM自信地表示：“在今后幾年內(nèi)實(shí)現(xiàn)當(dāng)然并不容易，但迄今我們已解決了多種課題”（Vl asov ）。
（編輯 Valiant）