目前，士蘭微電子的交貨期基本控制在1個月以內，芯片生產和封測產能壓力空前。士蘭微一方面提高生產管理能力，將現有設備的產能利用到極致，不斷降低每道工序的加工周期；另一方面加強和客戶的溝通，按照客戶的需求安排投料。此外，士蘭微有計劃從2010年起在未來的2～3年內安排投資13,500萬元，組建多芯片高壓功率模塊制造生產線。湯學民透露，士蘭微功率器件的月產能已經從2010年初的4萬片(6英寸)提升到2010年底的6萬片，這個數字將在2011年改寫為8萬片以上。

新興和傳統市場雙驅動

傳統功率器件市場持續復蘇，再加上新興市場不斷冒頭，導致功率器件仍舊奇貨可居。2011年功率器件供應商普遍雙管齊下，傳統和新興市場兩手抓，焦點集中在變頻電機、馬達和新能源領域，可以預見2011年功率器件市場依舊硝煙彌漫。

胡鳳平指出，英飛凌的市場重點側重在高能效領域，如風能、太陽能、電動汽車等新能源市場，馬達驅動、變頻家電及逆變焊機等。三菱電機同樣看好風力發電、太陽能發電、電動汽車等新能源領域，以及傳統馬達驅動、電源、空調市場。

在國際企業圍繞新興市場過招時，本土企業則選擇從中小功率器件入手。士蘭微電子的目標市場鎖定為AC-DC電源、小功率變頻電機、HID燈、節能燈、LED燈的驅動系統以及太陽能光伏系統。模擬器件講究工藝和設計的匹配，還需根據不同的客戶應用精雕細琢。

湯學民認為，除了最基本的導通壓降、電流耐量、反向耐壓等參數指標外，各應用系統對功率器件都會有不同的要求，主要反映在一些動態參數上，因此優化動態參數是士蘭功率器件芯片技術研發的重點之一。“針對特定的應用環境，或調整器件的參數、或配合客戶優化外圍線路也是我們重要的技術工作方面。”他說。

SiC器件集中登陸市場

2011年功率器件市場除了傳統MOSFET和IGBT挑大梁唱主角之外，一些新面孔也將由龍套升格為配角。碳化硅SiC早在10年以前就出現在半導體市場，隨著工藝的成熟化和價格的平民化，諸多SiC功率器件將集結在2011年登陸功率市場。

三菱電機已成功采用SiC制成新器件，通過使用SiC制造的MOSFET和肖特基二極管，研發出一個達400V的11kW變頻器原件，它比硅制造的變頻器，減少能源損耗達七成，輸出功率為 10 W/cm3。因此，SiC器件損耗更低，并能在更高溫下運作，令器件變得更細小，用電量更低。至于SiC器件的上市時間，三菱電機并未透露。

另一家日本公司也暗暗發力SiC器件。RoHM在2008年收購生產SiC材料的SiCrystal公司之后，已掌握晶圓制造、前期工序、后期工序以及功率模塊的一條龍體系。2010年4月RoHM已開始量產SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)。同年12月開始量產供貨SiC的DMOSFET定制產品，預計將于2011年夏季供貨通用產品。

德國研究項目“NEULAND”的6家成員企業宣布，通過使用新半導體材料，能將可再生能源、通信及照明各系統的能源損失減半。作為NEULAND成員之一，英飛凌明確地表示，2011年將推出SiC J-FET。