EDA與制造相關(guān)文章 日本派200名工程師赴Tenstorrent接受AI芯片培訓 日本將派遣200名工程師前往美國Tenstorrent接受AI芯片技術(shù)培訓 發(fā)表于：6/18/2024 2024年全球先進封裝設(shè)備將同比增長6%至31億美元 2024年全球先進封裝設(shè)備將同比增長6%至31億美元 發(fā)表于：6/18/2024 消息稱鴻海獨家供貨英偉達GB200 NVLink交換器 6 月 18 日消息，臺媒經(jīng)濟日報消息，鴻海繼取得大份額英偉達 GB200 AI 服務器代工訂單之后，獨占 GB200 關(guān)鍵元件 NVLink 交換器訂單。 NVLink 是英偉達獨家技術(shù)，包含兩個部分，第一是橋接（bridge）技術(shù)，即處理器（CPU）與 AI 芯片（GPU）互相連接的技術(shù)；第二是交換器（switch）技術(shù)，是 GPU 與 GPU 互連的關(guān)鍵，通過此技術(shù)才能把上千顆 GPU 算力全部集中起來運作。 發(fā)表于：6/18/2024 消息稱三星將推出HBM三維封裝技術(shù)SAINT-D 6 月 18 日消息，據(jù)韓媒《韓國經(jīng)濟日報》報道，三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術(shù)。 發(fā)表于：6/18/2024 韓國專利管理企業(yè)Mimir IP起訴美光索賠34.92億元人民幣 6 月 17 日消息，據(jù)韓媒 Businesskorea 報道，韓國專利管理企業(yè) Mimir IP 于 6 月 3 日在美向存儲巨頭美光發(fā)起訴訟，索賠 4.8 億美元（ 發(fā)表于：6/18/2024 淺析HBM五大關(guān)鍵門檻 6月17日消息，在當前人工智能（AI）芯片中扮演不可或缺地位的高帶寬內(nèi)存（HBM），其生產(chǎn)困難點有哪些，為什么迄今全球只有SK海力士、美光和三星這三家DRAM大廠有能力跨入該市場，外媒對此做了一個綜合性的分析。 報道表示，HBM通過使用3D堆疊技術(shù)，將多個DRAM（動態(tài)隨機存取內(nèi)存）芯片堆疊在一起，并通過硅穿孔技術(shù)（TSV，Through-Silicon Via）進行連接，進一步達到高帶寬和低功耗的特點。HBM的應用中，CowoS（Chip on Wafer on Substrate）封裝技術(shù)是其中一個關(guān)鍵的生產(chǎn)手段。 CowoS封裝中的HBM技術(shù)困難度目前歸納了幾項要點： 發(fā)表于：6/18/2024 ASML公布Hyper NA EUV光刻機 可量產(chǎn)0.2nm工藝！ASML公布Hyper NA EUV光刻機：死胡同不遠了 發(fā)表于：6/17/2024 英特爾因涉嫌隱瞞晶圓代工部門巨額虧損遭集體訴訟 英特爾因涉嫌隱瞞晶圓代工部門巨額虧損遭集體訴訟 發(fā)表于：6/17/2024 芯聯(lián)集成登頂中國最大車規(guī)芯片代工廠 僅5年就登頂中國最大車規(guī)芯片代工廠！芯聯(lián)集成已供貨國內(nèi)90%以上車企 發(fā)表于：6/17/2024 消息稱鎧俠結(jié)束NAND閃存減產(chǎn) 消息稱鎧俠結(jié)束 NAND 閃存減產(chǎn)，現(xiàn)有工廠開工率均已恢復至 100% 發(fā)表于：6/17/2024 SK 海力士將提升1b nm DRAM 產(chǎn)能以滿足HBM3E內(nèi)存需求 提升 1b nm DRAM 產(chǎn)能以滿足 HBM3E 內(nèi)存需求，消息稱 SK 海力士正升級 M16 晶圓廠 發(fā)表于：6/17/2024 傳vivo印度子公司將被迫出售 印度又耍流氓，傳vivo子公司將被迫出售！ 發(fā)表于：6/17/2024 沒有撤離荷蘭 ASML總部擴建計劃獲批 6月17日消息，近日，荷蘭埃因霍溫市議會多數(shù)成員以 34 比 6 的投票結(jié)果通過了ASML在Brainport Industries Campus園區(qū)的擴張計劃，這也為這家半導體巨頭繼續(xù)在當?shù)財U張鋪平了道路。 發(fā)表于：6/17/2024 Intel 3工藝官方揭秘最新數(shù)據(jù) Intel 3工藝官方揭秘：面積縮小10％、能效飆升17％ 發(fā)表于：6/14/2024 三星公布引領(lǐng)AI時代半導體技術(shù)路線圖 三星公布引領(lǐng)AI時代半導體技術(shù)路線圖 效果大幅提升 發(fā)表于：6/14/2024 ?…76777879808182838485…?
