| 梯度摻雜結構GaN光電陰極的穩定性 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：v895bv | |
| 文檔大小：478 K | |
| 標簽： GaN | |
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| 文檔介紹：利用NEA GaN光電陰極多信息量測試評估系統，測試出陰極在不同情況下所對應的量子效率曲線，根據測試曲線的不同變化規律，對反射式均勻摻雜和梯度摻雜結構GaN光電陰極的穩定性進行了對比分析。由于梯度摻雜結構可在其發射層內部產生系列內建電場，致使其能帶連續向下彎曲，導致其表面真空能級比均勻摻雜樣品下降得更低，發射層表面形成的負電子親和勢更明顯，造成發射層內的光生電子更易逸出，陰極量子效率的衰減變慢，從而使其穩定性強于均勻摻雜結構。 | |
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