頭條 Gartner：2024年全球半導體收入增長21% 根據Gartner的最終統計結果，2024年全球半導體總收入為6559億美元，較2023年的5421億美元增長了21%。同時，英偉達超越了三星電子和英特爾，首次躍居首位。 Gartner研究副總裁Gaurav Gupta表示：“前十大半導體廠商收入排名變動的主要原因在于強勁的AI基礎設施需求以及73.4%的內存收入增長。英偉達之所以能夠躍至首位，主要在于其獨立圖形處理單元（GPU）需求顯著增長，GPU已成為數據中心AI工作負載的首選。” Gupta表示：“供需失衡引起價格大幅反彈，三星電子的DRAM和閃存收入增長，得以繼續保持在第二位。英特爾2024年的半導體收入僅增長了0.8%，原因在于其主要產品線面臨的競爭威脅正在加劇，而且英特爾未能把握AI處理需求強勁增長這一機遇?！?023-2024年全球排名前十半導體廠商收入（單位：百萬美元） 最新資訊 安謀科技攜前沿成果亮相ICCAD 2024 國內芯片產業鏈上游的領軍企業安謀科技今年再度受邀出席，攜旗下一系列前沿技術方案及合作成果精彩亮相，并在高峰論壇和“IP與IC設計服務專題論壇(II)”上發表主題演講，與眾多產業鏈上下游的企業代表、專家學者展開深入交流，共話半導體產業發展“芯”圖景。 發表于：12/17/2024 高速密碼處理器，為什么海光的CPU更有優勢？ 近年，隨著密碼相關的法律法規不斷落地，政策的導向日益清晰，加之網絡帶寬的升級，5G通信和物聯網應用的流行，當前網絡加密流量場景越來越多，同時對密碼性能需求也逐漸增多。 發表于：12/17/2024 消息稱英偉達車載AI Thor芯片量產大幅推遲 12 月 16 日消息，英偉達旗艦車載 AI芯片 Thor 的連續推遲正在加大丟失核心客戶的風險。 Thor 原本計劃 2024 年中量產，現已大幅推遲，“預計明年中上車，且還是入門版”。該媒體援引多方信源消息稱，其推遲影響著一些國內車企的新車產品決策。 發表于：12/17/2024 Arm與高通訴訟進入關鍵階段 12 月 17 日消息，英國芯片設計巨頭 Arm 與美國芯片廠商高通的訴訟周一在美國特拉華州聯邦法院進入關鍵階段，Arm 首席執行官雷內?哈斯（Rene Haas）在庭審中試圖淡化外界關于 Arm 計劃轉型為芯片供應商的猜測，同時重申其訴訟的核心目的 —— 捍衛知識產權和商業模式。 發表于：12/17/2024 英偉達GB300和B300 AI服務器供應鏈遇挑戰 12 月 17 日消息，天風證券分析師郭明錤今天（12 月 17 日）發布投資研究報告，表示英偉達正為 GB300 和 B300 開發測試 DrMOS 技術，發現 AOS 的 5x5 DrMOS 芯片存在嚴重過熱問題。這一問題可能影響系統量產進度，并改變市場對 AOS 訂單的預期。 發表于：12/17/2024 BOS半導體推出全球首款汽車AI加速器芯粒SoC BOS半導體推出全球首款汽車AI加速器芯粒SoC，搭載Tenstorrent IP 發表于：12/17/2024 2025年的汽車行業五大發展趨勢分析 隨著2024年逐漸邁向尾聲，許多行業的動蕩與變革正悄然積蓄力量，等待在2025年爆發。電動汽車需求的持續上升、二級車輛自動化的普及、以及中國在汽車電子架構領域的領先地位，都將成為推動未來幾年市場的關鍵動力。然而，這些變革背后，汽車產業面臨著怎樣的挑戰與機遇？供應鏈的波動、半導體的短缺，又如何影響行業的未來發展？ 發表于：12/17/2024 2024年度中國企業專利排行榜發布 12月16日消息，廣東中策知識產權研究院發布《2024中策-中國企業專利創新百強榜》，榜單顯示，華為位列榜單第一。 從中國企業專利創新百強榜TOP 10可以看到，華為、國家電網和騰訊位列前三名，而OPPO、京東方、百度、格力、重心，中國石油分列4-10名。 中國發明專利申請量TOP 10中顯示，國家電網、華為、騰訊、OPPO和京東方分列前五名。 發表于：12/17/2024 基于UVM的時間敏感網絡交換芯片的驗證架構設計 基于UVM驗證方法學、自動化比對和覆蓋率驅動的驗證思想，構建了一個用于時間敏感網絡（TSN）交換芯片的系統驗證架構。該架構采用分類和流水處理數據報文方法，結合流量檢測、時間槽檢測和數據報文自動化比對方案，成功支撐TSN業務系統驗證方法落地，保證了系統驗證完備性。芯片回片經測試滿足商用需求，再次論證了驗證架構的完備性。 發表于：12/16/2024 DRAM研究現狀與發展方向 動態隨機存取存儲器（DRAM）因其高存儲密度和成本效益，在現代大規模計算機和超高速通信系統中得到廣泛應用。主要介紹動態DRAM的發展歷程、關鍵技術、國內外研究進展以及未來發展方向。首先，介紹了DRAM的分類、基本單元結構、工作原理。其次，詳細介紹了DDR SDRAM的關鍵性能指標以及專用DRAM的發展。然后，介紹了提高DRAM訪問速度、容量與密度的創新DRAM架構和技術，以及無電容存儲單元結構、3D堆疊DRAM技術以及Rowhammer安全問題及其防御機制。最后，展望了DRAM技術的未來發展方向，闡述了為了應對日益增長的高速、低功耗和高可靠性的存儲需求，對現有DRAM技術的進行深入研究和創新的重要性。 發表于：12/16/2024 ?…40414243444546474849…?
