市調(diào)公司IC Knowledge稱(chēng)，根據(jù)他們最近完成的一次"嚴(yán)密的"制程成本分析，在22nm及更高級(jí)別節(jié)點(diǎn)制程，FDSOI制程相比體硅制程的總體費(fèi)效比更高。

　　IC Knowledge的總裁Scotten W. Jones表示：“FDSOI在制程簡(jiǎn)化方面優(yōu)勢(shì)很大，因此除了性能更優(yōu)良之外，其相比體硅制程還同時(shí)具備更高的成本競(jìng)爭(zhēng)力。而使用FDSOI制程生產(chǎn)芯片產(chǎn)品的工步數(shù)更少則是FDSOI總體費(fèi)效比優(yōu)良的主要原因。”

　　雖然與離子注入有關(guān)的成本在芯片制造總成本中所占的比率相對(duì)較低，但FDSOI在減少離子注入工步，與離子注入準(zhǔn)備用掩膜板數(shù)量方面的優(yōu)勢(shì)特別明顯。由于FDSOI產(chǎn)品制造環(huán)節(jié)更少，因此簡(jiǎn)化了芯片的制造過(guò)程。

　　在進(jìn)行這次制程成本分析過(guò)程中，IC Knowledge與Soitec即著名的SOI/FDSOI晶圓供應(yīng)商進(jìn)行了合作,定義了面向22nm節(jié)點(diǎn)制程的三種常用芯片制造工藝流程，并對(duì)其各自的成本進(jìn)行了詳細(xì)的分析。這三種工藝流程包含一種采用體硅制程的工藝流程，兩種采用FDSOI制程的工藝流程，而兩種FDSOI工藝流程中，其一為采用離子注入技術(shù)進(jìn)行漏源極摻雜（針對(duì)傳統(tǒng)的漏源極設(shè)計(jì)），而另外一種則使用就地?fù)诫s技術(shù)對(duì)漏源極進(jìn)行雜質(zhì)摻雜（針對(duì)RSD即Raised Source/Drain設(shè)計(jì)）。

　　在對(duì)所有這三種工藝流程進(jìn)行定義時(shí)，對(duì)其所生產(chǎn)器件的性能參數(shù)也進(jìn)行了定義，如器件的門(mén)限電壓，柵極以及柵絕緣層，淺槽隔離結(jié)構(gòu)，所用的溝道應(yīng)變工程技術(shù)等等，柵極結(jié)構(gòu)則被定義為統(tǒng)一采用gatelast HKMG工藝制作；互聯(lián)層方面，則采用8層金屬層的定義，最后工藝的應(yīng)用范疇被定義為面向SOC芯片制作。

　　另外，SOI晶圓的采購(gòu)成本則被定義為500美元/片，體硅晶圓的采購(gòu)價(jià)則被定義為極低的130美元/片。

　　完成工藝流程的參數(shù)定義之后，IC Knowledge采用其自己研制的戰(zhàn)略成本模型（Strategic Cost Model），模擬了將這些工藝流程于2012年應(yīng)用到臺(tái)灣某家月產(chǎn)量為3萬(wàn)片的芯片生產(chǎn)廠的成本費(fèi)用進(jìn)行了評(píng)估。評(píng)估過(guò)程中考慮了諸多細(xì)節(jié)因素，如前面提到的不同種類(lèi)晶圓的采購(gòu)成本，勞動(dòng)力成本，資產(chǎn)貶值率，設(shè)備維護(hù)成本，水電氣成本，光刻用掩膜板成本等等。這些細(xì)節(jié)參數(shù)是根據(jù) IC Knowledge公司從全球多家芯片廠所搜集的數(shù)據(jù)進(jìn)行定義的。

　　最后的分析結(jié)果是，經(jīng)濟(jì)性最高的方案是采用FDSOI+漏源極就地?fù)诫s技術(shù)的組合，其成本大約為每片晶圓3000美元。不僅如此，兩種采用FDSOI工藝流程的成本都要比采用體硅制程的成本要不少。研究還發(fā)現(xiàn)，采用離子注入方法制作漏源極的FDSOI制程，在成本方面與體硅制程僅相差1%。

　　因?yàn)檫@次的研究重點(diǎn)在于工藝的成本，因此并沒(méi)有對(duì)低漏電，高速器件應(yīng)用類(lèi)型進(jìn)行成本對(duì)比，而且也沒(méi)有分析FDSOI和體硅制程在22nm及以上制程節(jié)點(diǎn)被用于制作多柵器件時(shí)的成本對(duì)比。