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IR推出新系列 40V 至 200V 車用 MOSFET,提供基準導通電阻性能

2011-09-14
作者:IR

  全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列,可為一系列應用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ,包括電動助力轉向系統  (EPS) 、集成式起動發電機  (ISA)  泵和電機控制,以及內燃機  (ICE)  和混合動力汽車平臺上的其它重載應用。
  
  全新溝道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面貼裝器件 (SMD) 封裝,電壓范圍從 40V 至 200V。標準和邏輯電平柵級驅動 MOSFET 都為 IR 車用塑料封裝 MOSFET 產品系列設定了導通電阻性能新標準。基準導通電阻在 40V 下最大為 1.25 毫歐,60V 下最大為2.1 毫歐,75V 下為 2.6 毫歐,100V 下為 4.0 毫歐。在 D2Pak-7P 封裝中許多器件的最大額定電流達 240A。
  
  IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“IR 全新車用溝道 MOSFET 系列可在下一代汽車應用,包括集成式起動發電機和電動助力轉向系統應用中實現基準性能。”
  
  所有 IR 車用 MOSFET 產品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車質量理念,并經過了動態和靜態器件平均測試及 100% 自動晶圓級目視檢查。AEC-Q101 標準要求器件在經過1, 000 次溫度循環測試后,導通電阻變化幅度不能超過 20%。然而,經過延長測試后,IR 的新款 AU 物料單在 5,000 次溫度循環時的最大導通電阻變化不到 10%,體現了該物料單的高強度和耐用性。
  
  新器件符合 AEC-Q101 標準,所采用的材料環保,不含鉛,也符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。
  
產品規格

 

器件編號

封裝

V(BR)DSS (V)

10VGS時的最大

導通電阻()

TC 25°C時的ID最大值(A)

10VGS 時的

QG 典型值(nC)

AUIRFS3004-7P

D2PAK-7P

40

1.25

400

160

AUIRFS3004

D2PAK

40

1.75

340

160

AUIRFS3006-7P

D2PAK-7P

60

2.1

293

200

AUIRFS3006

D2PAK

60

2.5

270

200

AUIRFS3206

D2PAK

60

3.0

200

120

AUIRFS3306

D2PAK

60

4.2

160

85

AUIRF1018ES

D2PAK

60

8.4

79

46

AUIRFS3806

D2PAK

60

15.8

43

22

AUIRFS3107-7P

D2PAK-7P

75

2.6

260

160

AUIRFS3107

D2PAK

75

3.0

230

160

AUIRFS3207Z

D2PAK

75

4.1

170

120

AUIRFS3307Z

D2PAK

75

5.8

120

79

AUIRFS3607

D2PAK

75

9.0

80

56

AUIRFS4010-7P

D2PAK-7P

100

4.0

190

150

AUIRFS4010

D2PAK

100

4.7

180

143

AUIRFS4310Z

D2PAK

100

6.0

127

120

AUIRFS4410Z

D2PAK

100

9.0

97

83

AUIRFR4615

DPAK

150

42.0

33

26

AUIRFR4620

DPAK

200

 78.0

24

25


邏輯電平柵級驅動

 

器件編號

封裝

V(BR)DSS (V)

4.5VGS時的最大

導通電阻()

TC 25°C時的ID最大值(A)

4.5VGS 時的

QG 典型值(nC)

AUIRLS3034-7P

D2PAK-7P

40

1.7

380

120

AUIRLS3034

D2PAK

40

2.0

343

108

AUIRLS3036-7P

D2PAK-7P

60

2.2

300

110

AUIRLS3036

D2PAK

60

2.8

270

91

AUIRLS4030-7P

D2PAK-7P

100

4.1

190

93

AUIRLS4030

D2PAK

100

4.5

180

87


  有關產品現正接受批量訂單。相關數據和認證標準請瀏覽IR 的網站 www.irf.com。IR還提供Spice模型供索取。
  
專利和商標
  IR®  和 HEXFET® 是國際整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注冊商標。文中所提及其它產品名稱均為對應持有人所有的商標。
 

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