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瑞薩電子宣布推出低功耗P通道MOSFET,可提高筆記本電池的功率效率

器件的損耗量約為瑞薩原有產品的一半,3.3mm的正方形封裝,具備業界領先的4.2mΩ低阻抗
2012-02-27
關鍵詞: P通道MOSFET µPA2812T1L

    全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社(TSE:6723,以下簡稱“瑞薩電子”)今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導體場效應晶體管(MOSFET)系列產品,包括用于筆記本電腦中鋰離子(Li-ion)二級電池的充電控制開關和與AC適配器進行電源轉換的電源管理開關等用途進行最佳化的µPA2812T1L。

    近年來,市場對于筆記本電池在整體系統的低功耗、在采用電池電源時更長的運行時間以及更小、更輕薄的外形因數等方面的需求日益提高。功率MOSFET用于鋰離子二級電池中的控制開關,以及AC適配器電源轉換的電源管理開關,它們必須能夠承載操作整個系統所需要的大電流,因此需要降低工作電阻的需求(導通電阻),從而降低系統的整體功耗。同時,由于筆記本電腦的機身變得日益輕薄緊湊,因此對于更小型、更輕薄鋰離子電池包的需求日益增強。

    為了滿足上述需求,瑞薩電子開發了一種新的制造工藝,相對于其它創新而言,它采用了極其細微的工藝技術,在面對相似的應用時,在相同的有效范圍內,與之前制造MOSFET的工藝技術相比,將導通電阻降低一半。此次包括µPA2812T1L在內的五款新產品,都在很小的封裝內,提供了低導通電阻。

新款P通道功率MOSFET的主要特性:

(1) 業界最低的導通電阻,實現了更好的系統功率效率并增加了電池的工作次數

新款MOSFET的導通電阻值大約為瑞薩電子原有產品的一半。µPA2812T1L采用緊湊型3.3mm正方形封裝,并實現了業界最低的4.2 mΩ(典型值)的導通電阻,并可保持低功耗,提升系統整體的電源效率,使用鋰離子二次電池時可延長使用時間。

較低的導通電阻的還包括其他優點,例如以采用新款μPA2812T1L的電路取代采用瑞薩電子原有的μPA2810T1L平行連接的電路,可降低整個系統的安裝面積。

•   (2)安裝面積約為具有同等性能的原有產品的三分之二,從而尺寸更加緊湊的系統。

較早期的瑞薩電子產品以SOP-8的封裝提供與新款µPA2812T1L相同的低導通電阻,但面積約為新款產品的三倍大。采用µPA2812T1L可以縮減大約三分之二的安裝面積,為筆記本電腦提供尺寸更小的電源供應系統。

•   (3)涵蓋大范圍運作電流等級的完整洗了產品

在五款新產品中,µPA2812T1L的額定導通電阻范圍從4.2 mΩ至12 mΩ(典型),客戶可以選擇最符合其運作電流、環境條件等要求的產品版本。

   小尺寸3.3mm正方形封裝(HVSON(3333))提供了極好的散熱效果,其設計可讓封裝內的熱量通過外露的引線框散發到所安裝的電路板上。由于器件周圍的熱量少于采用SOP-8等低效散熱封裝的熱量,因此能夠設計尺寸較輕巧的鋰電池。

    瑞薩電子計劃進一步擴展功率MOSFET器件的陣列,提供更強大的功能和尺寸更緊湊的封裝。結合功率MOSFET器件和鋰離子電池充電器控制IC等套件,將為系統設計者提供更廣泛的、靈活的系統解決方案。

定價和供貨情況

    瑞薩電子新款MOSFET的樣品現已推出,每片價格為0.6美元。計劃于2012年4 月開始量產,至2013年4月,每個月的產量有望達到5,000,000。(價格和供貨情況如有變更,恕不另行通知。)

P通道功率MOSFET的產品規格

產品

產品漏電-源電壓(VDSS) (V)

門-源電壓(VGSS) (V)

漏電流(ID) (A)

導通電阻(mΩ)

輸入電容(Ciss) (pF)

封裝

VGSS = 10 V

VGSS = 4.5 V

Typ

Max

Typ

Max

µPA2812T1L

-30

±20

30

4.2

5.2

6.9

9.9

3850

HVSON(3333) <3.3 × 3.3 mm2>

µPA2813T1L

-30

±20

27

5.6

7

9

13

3160

µPA2814T1S

-30

±20

24

7.2

9

12

17

2810

µPA2815T1S

-30

±20

21

9

12

16

23

1760

µPA2816T1S

-30

±20

17

12

18

28

45

1210

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