IDT 的4H LVDS / LVPECLMEMS 振蕩器擁有100 飛秒典型相位抖動和可修改的輸出頻率，可降低高性能萬兆以太網和網絡應用的誤碼率

擁有模擬和數字領域的優(yōu)勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商IDT®公司(Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今日推出業(yè)界首款差異化MEMS 振蕩器，具有100飛秒(fs) 典型相位抖動性能和集成的頻率裕量設定能力。IDT 高性能振蕩器的超低相位抖動和可修改的輸出頻率顯著降低萬兆以太網(10GbE) 交換器、路由器和其他相關網絡設備的誤碼率(BER)。

IDT 的4H 性能MEMS 振蕩器擁有一個差分的LVDS / LVPECL 輸出，和相比同級別產品最低的相位抖動（100 fs @ 1.875 – 20 MHZ和亞300 fs @ 12 KHZ – 20MHZ），滿足高性能網絡應用對低抖動芯片組的需要。集成的頻率裕量(frequency margining) 設定功能使客戶在應用操作中能夠將振蕩器頻率微調至±1000 ppm，實現(xiàn)誤碼率最小并便于裕量測試。IDT 的4H MEMS 振動器適用于多種封裝尺寸，包括更小的3225(3.2 x 2.5 mm)，以節(jié)省密集部署應用中的板空間和成本。IDT 是提供可將MEMS 振蕩器性能、特性和小封裝尺寸組合在一起的唯一供應商。

IDT 公司副總裁兼計時與同步部門總經理Christian Kermarrec 表示：“IDT 最新的MEMS 系列構建于標準的4M 和升級的4E 振蕩器系列基礎上，滿足萬兆以太網和網絡應用對高性能的要求。作為計時解決方案的領導廠商，我們?yōu)榭蛻籼峁┳罡咝阅懿考蛣?chuàng)新特性，以便于他們進行下一代產品開發(fā)。我們很高興看到很多OEM 廠商越過MEMS 起步型提供商而選擇IDT，這正是由于IDT 所能提供的經驗和技術創(chuàng)新。”

HIS 公司MEMS 與傳感器部門總監(jiān)和首席分析師Jérémie Bouchaud 表示：“云計算和存儲架構正在快速發(fā)展，幾乎50% 的服務器和存儲簇隨著萬兆以太網而出貨。高性能MEMS 振蕩器能使企業(yè)級計算和存儲架構的誤碼率更低，并能同時提供更好的可靠性。”

IDT 的集成頻率裕量設定功能使客戶能夠在業(yè)界采用一個技術技巧作為“額外PPM 時鐘”。這一技術時鐘系統(tǒng)處在一個稍微更高的頻率，允許OEM 廠商降低誤碼率，并能減少網絡應用的封裝損失。與只提供固定頻率的競爭性MEMS 器件不同，IDT 的器件允許數以百計的偏頻，它們會在達到625 兆赫的任何基礎頻率選擇之后——甚至在最終生產系統(tǒng)中產生。這使得設計人員能夠加快開發(fā)進程和優(yōu)化系統(tǒng)性能。

4H MEMS 振蕩器利用IDT 專利的壓電MEMS (pMEMS™) 諧振器技術，可提供一個擁有無與倫比性能和可靠性的高頻率源。IDT MEMS 振蕩器提供優(yōu)于石英40 倍的可靠性，無擾動、無零時故障、對電磁干擾(EMI) 有更高抖動阻力，并具有出色的抗沖擊和抗振性，這使它們成為傳統(tǒng)的基于石英振蕩器的一個理想的升級解決方案。

IDT 4H 系列是在成功的4M 和4E 系列MEMS 振蕩器基礎上拓展的。作為差分石英振蕩器的嵌入式替代品，4M 標準振蕩器可提供顯著性能，相位抖動不到1 皮秒(ps)。4E 升級版振蕩器將一個 LVDS 或LVPECL 輸出和一個同步CMOS 輸出集成到單一封裝中，無需外部晶體和二級振蕩器。此外，4E 振蕩器擁有四個可選的輸出頻率，允許用一個單一的器件替換四個組件，減少材料清單，鞏固庫存。

供貨

IDT 4H MEMS 振蕩器目前處于客戶送樣階段，采用標準的7.0 x 5.0 mm, 5.0 x 3.2mm 和3.2 x 2.5mm VFQFPN封裝?？捎么蠖鄶禈藴暑l率。自定義頻率可根據要求進行配置。欲了解更多信息，請登錄www.idt.com/go/MEMS。