全國人大代表、湖南省經濟和信息化委員會主任謝超英在接受《中國電子報》記者專訪時說，他向大會提出加快IGBT(絕緣柵雙極晶體管)產業發展的建議，建議國家高度重視IGBT產業發展，支持國內優勢企業開展以IGBT為代表的功率芯片及其器件的研究開發與產業化。”

　　IGBT應用需求巨大

　　謝超英向《中國電子報》記者介紹說，IGBT是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，為世界公認的電力電子第三次技術革命的代表性產品，具有高頻率、高電壓、大電流，易于開關等優良性能，被業界譽為功率變流裝置的“CPU”。

　 　近年來，隨著國民經濟的快速發展，功率半導體技術已經日益廣泛地應用于日常消費品、工業制造、電力輸配、交通運輸、航空航天、可再生能源及軍工等重點領 域，只要涉及到用電的各種場合，就離不開以功率半導體為核心的電力電子技術的應用。“目前，中國是世界上最大的功率半導體器件消費國，但作為產業鏈高端的 功率芯片則全部依賴進口，這勢必影響國民經濟的安全、可持續發展。因此，建議國家高度重視IGBT產業發展，支持國內優勢企業開展以IGBT為代表的功率 芯片及其器件的研究開發與產業化。”

　 　謝超英對《中國電子報》記者說，我國IGBT技術取得一定突破，應用需求巨大。IGBT芯片技術方面，中國南車建成全球第二條、國內首條8英寸IGBT 芯片專業生產線，具備年產12萬片芯片、并配套形成年產100萬只IGBT模塊的自動化封裝測試能力，芯片與模塊電壓范圍實現從650V到6500V的全 覆蓋。去年成功實現首批8英寸1700V IGBT芯片下線，8英寸3300V芯片已完成試制與測試，6500V芯片也已研發出合格樣品。IGBT模塊技術方面，封裝IGBT模塊所用芯片大多由英 飛凌、ABB等國外公司提供，只有極少量的芯片由國內生產，國產IGBT芯片年產值不到1億元。但我國卻是全球最大的功率半導體消費市場，占全球市場的 40%以上，未來一段時期仍將保持15%以上的速度增長，市場潛力巨大。其中，我國IGBT消費市場目前約80億元的規模(全球市場約300億元)，到 2020年可能達到300億元的規模。

　　在謝超英看來，我國IGBT產業發展制約因素較多，亟待突破。一是沒有形成創新體系，二是缺乏完整的生產線，三是配套產業薄弱，關鍵材料的國產化已成為我國IGBT產業快速發展的一大制約因素。

　　出臺扶持政策加快IGBT產業化

　 　謝超英說，IGBT作為電能變換的關鍵部件，是現代科學、工業和國防的重要核心技術，以IGBT為代表的功率半導體是電力電子產品的基礎。為盡快改變目 前我國在產業鏈高端的功率半導體芯片基本依賴進口的局面，他建議國家出臺扶持政策，依托國內優勢企業，通過示范和引導，大力推進我國IGBT產業化并形成 規模優勢。

　 　一是設立國家重大科技專項支持IGBT技術研發與產業化。建議設置功率半導體重大專項，支持IGBT等功率器件技術升級與產業拓展。探索IGBT研發與 產業化的“后補助”政策，通過“事前申報、事后認定”的方式對以企業為主的IGBT科技創新主體給予經費補助，積極推進IGBT技術的持續創新，加速科技 成果產業化。

　 　二是成立產業發展專項基金鼓勵IGBT應用推廣。由工信部牽頭成立IGBT產業發展專項基金，鼓勵與支持國產IGBT器件的進口替代及應用推廣，以器件 應用拉動我國IGBT產業化進程。同時，對軌道交通、新能源、電動汽車、家電等IGBT主要應用領域提供政策性補貼，通過政府采購、節能工程、示范工程等 政策，加快推動國產IGBT應用的多點突破、加強器件、系統、裝置與應用全產業鏈的合作。

　 　三是建設國家級創新平臺培育IGBT產業集群。建議以中國南車在湖南省建設的國內首條8英寸IGBT生產線為基礎，建設功率半導體國家級科技創新平臺， 引領行業技術、標準發展。同時，依托中國南車等優勢企業建立IGBT芯片基地和IGBT應用產業基地，匯聚功率器件上下游產業，形成國內首個國產IGBT 千億產業基地，示范和引領產業發展。

　　四是出臺稅收等政策支持IGBT國產化。對于成熟的國產IGBT制造企業的持續性投入予以項目資金支持，減免銷售收入增值稅，同時逐步提高進口IGBT的關稅，減輕國產IGBT的市場價格競爭壓力，促進我國IGBT產業的健康發展。