1月19日，湖南三安半導(dǎo)體項目最大單體M2B芯片廠房完成封頂。標志著湖南三安第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項目(一期)Ⅰ標段主體工程完工，預(yù)計今年6月份有望實現(xiàn)全面投產(chǎn)。

此前，湖南三安半導(dǎo)體項目（一期）Ⅰ標段已相繼完成M3器件封裝廠房、M4碳化硅長晶廠房和濺鍍廠房位主體結(jié)構(gòu)封頂。

據(jù)了解，湖南三安半導(dǎo)體項目總占地面積1000畝，總投資160億元，項目分兩期建設(shè)，主要包含碳化硅長晶、襯底、外延、芯片、器件封裝等廠房及相關(guān)配套設(shè)施建設(shè)，項目產(chǎn)品為高質(zhì)量、低成本、高穩(wěn)定性碳化硅襯底及各類器件，可廣泛用于新能源汽車、高鐵機車、航空航天和無線(5G)通訊等。

湖南三安半導(dǎo)體有限責任公司項目管理部經(jīng)理張博若表示，項目全部建成后預(yù)計可實現(xiàn)年產(chǎn)值120億元以上，可直接提供4500個就業(yè)崗位，并帶動上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預(yù)計超1000億元，提供近10000個就業(yè)崗位。

第三代半導(dǎo)體材料及器件已成為當前全球半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點之一，引發(fā)了新一代科技變革，屬于國家重點支持的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。項目的實施將推動長沙先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的壯大，助力長沙在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域形成國內(nèi)領(lǐng)先地位。