在半導(dǎo)體制造中，清洗工藝貫穿于光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵流程，并在單晶硅片制備階段發(fā)揮著重要作用。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片制程已推進(jìn)至28nm、14nm乃至更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。

晶圓對(duì)微小污染物的敏感性也顯著增強(qiáng)。每一道工序前，晶圓表面都需清除顆粒、有機(jī)物、金屬雜質(zhì)和氧化層等污染物，以確保后續(xù)制程的順利進(jìn)行。以7nm及以下制程工藝為例，若晶圓表面每平方厘米存在超過(guò)3個(gè)0.5nm粒子，良率可能下降12%-18%。

國(guó)產(chǎn)替代提速，破解172nm光源依賴

晶圓表面清洗作為先進(jìn)制程中的關(guān)鍵工序，正朝著高效、低損的方向不斷演進(jìn)。針對(duì)納米級(jí)有機(jī)污染物，172nm準(zhǔn)分子紫外光清洗技術(shù)提供了一種非接觸、高精清潔的解決方案，逐漸成為行業(yè)應(yīng)用和技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)方向。

然而，該技術(shù)所依賴的172nm準(zhǔn)分子光源長(zhǎng)期依靠進(jìn)口，面臨成本高、供應(yīng)不穩(wěn)定、技術(shù)封鎖等問(wèn)題。隨著全球產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)和供應(yīng)鏈安全意識(shí)提升，國(guó)產(chǎn)替代需求愈加迫切。

廣明源172nm晶圓光清洗方案：高效、非接觸、精細(xì)化

該技術(shù)通過(guò)172nm高能紫外光激發(fā)有機(jī)物產(chǎn)生自由基，并與氧自由基發(fā)生光敏氧化反應(yīng)，能有效將污染物分解為水和二氧化碳，從而達(dá)到原子級(jí)潔凈度。

172nm平板型光源

172nm網(wǎng)狀電極圓管光源

技術(shù)優(yōu)勢(shì)：

√ 非熱處理：冷光源技術(shù)，避免熱應(yīng)力，適用于熱敏材料。

√ 高效清潔：可有效去除納米級(jí)有機(jī)殘留，提升工藝良率。

√ 穩(wěn)定性好：長(zhǎng)壽命設(shè)計(jì)，性能穩(wěn)定可靠。

√ 交付可靠： 資深172nm準(zhǔn)分子光源及設(shè)備制造商，交付有保障。

√ 靈活定制：可根據(jù)客戶需求提供定制化設(shè)備和解決方案。

適用領(lǐng)域：

√ 半導(dǎo)體晶圓清洗與去膠

√ 光學(xué)透鏡清潔

√ LCD/OLED的TFT生產(chǎn)（去除光刻膠殘留）

√ 高精度PCB表面處理

172nm紫外線晶圓光清洗模組

該模組專為晶圓光清洗設(shè)計(jì)，可高效去除納米級(jí)有機(jī)污染物和殘留膠質(zhì)，提升后續(xù)鍍膜/鍵合等工藝良率。

√ 長(zhǎng)壽命設(shè)計(jì)：通過(guò)陰極材料優(yōu)化和氣體配比控制，確保2500小時(shí)穩(wěn)定輸出。

√ 無(wú)損傷處理：冷光源特性，避免熱應(yīng)力導(dǎo)致晶圓翹曲。

√ 冷卻方式：風(fēng)冷/水冷可選，根據(jù)產(chǎn)線潔凈度要求靈活配置。

推動(dòng)光清洗設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代，服務(wù)高端制造產(chǎn)業(yè)

廣明源深耕光科技應(yīng)用的研發(fā)與制造二十多年，專注172nm準(zhǔn)分子光源及設(shè)備/模組的研發(fā)，覆蓋光清洗、光固化、光改性、純水處理等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域。依托成熟的研發(fā)創(chuàng)新、設(shè)備設(shè)計(jì)與定制能力，廣明源可提供從實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證到量產(chǎn)階段所需的核心光部件與解決方案，助力國(guó)內(nèi)高端制造實(shí)現(xiàn)自主可控，保障產(chǎn)業(yè)鏈安全穩(wěn)定。