在Galaxy S6搭載最高128GB儲存容量后，三星似 乎也計畫讓更多手機也能享有大容量，稍早宣布將推出以eMMC 5.0技術(shù)為基礎，同時最高儲存容量達128GB的3-bits-per- cell NAND Flash儲存元件，并且對應每秒達260MB讀取速度表現(xiàn)，預期將使中階規(guī)格以下手機產(chǎn)品，以及多數(shù)記憶卡產(chǎn)品能在成本預算內(nèi)有更 大儲存容量選擇。
根據(jù)三星公 布消息，預計將推出以eMMC 5.0技術(shù)為基礎，同時最高儲存容量達128GB的3-bit NAND Flash儲存元件，同時讀取速度表現(xiàn)將達每秒 達260MB。雖然整體不比搭載于Galaxy S6系列機種的UFS規(guī)格有更高存取效能，但此次推出的新款NAND Flash儲存元件提供在成本預算 內(nèi)有更大儲存容量選擇，并且保有一定存取效能的使用特性。
目前三星并未說明此項產(chǎn)品將在何時供貨，但預期未來將使中階規(guī)格以下手機產(chǎn)品，以及多數(shù)記憶卡產(chǎn)品能在成本預算內(nèi)有更大儲存容量選擇。
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