4月28日消息，據(jù)韓國媒體 sedaily 報導，三星電子已確定將在三年內(nèi)量產(chǎn)被稱為次世代內(nèi)存的“垂直信道晶體管（VCT）DRAM”的藍圖。外界解讀，三星有意比競爭對手SK海力士更早一個世代成功量產(chǎn)，以挽回“超級差距”的地位。

VCT DRAM是指將內(nèi)存單元中控制電流流動的晶體管垂直排列的產(chǎn)品。與傳統(tǒng)平面方式相比，可以排列更多晶體管，實現(xiàn)更高容量，因此被視為潛力巨大的“游戲規(guī)則改變者”。然而，這種制作方式比傳統(tǒng)工藝更繁復且嚴苛，不僅前段制程（晶圓制作）難度高，還需動用過去DRAM制程中未曾使用過的先進封裝技術，技術門坎相當高。

三星電子目前正量產(chǎn)10nm級的第五代DRAM，并以今年量產(chǎn)第六代產(chǎn)品為目標。隨著明年開發(fā)第七代產(chǎn)品的時程已確定，三星在第八代（1e）DRAM與全新制程技術VCT DRAM之間進行權衡后，最終選擇后者這個技術路線。

據(jù)悉，SK海力士則規(guī)劃第七代DRAM，再來依序是1奈米級第1代（0a）、垂直DRAM（VG）的導入時間表。由此來看，如果三星計劃順利推進，將領先一步開啟「V DRAM時代」。另外，傳三星電子內(nèi)部已將負責第八代產(chǎn)品的前期研究團隊與第七代團隊合并。

業(yè)界預期，VCT DRAM有望在2~3年內(nèi)看到實體產(chǎn)品。業(yè)界人士指出，由于三星近期在單一DRAM領域也開始落后，可以看出他們希望透過領先未來技術重拾市場領導者的自尊心。

對于這項消息，三星電子則回應稱“尚未確定具體的DRAM產(chǎn)品藍圖”。