東芝(Toshiba)8日發(fā)布新聞稿宣布，為了增產3D Flash Memory，將在四日市工廠內興建新廠房“第6廠房(Fab 6)”。東芝指出，該座新廠房將作為3D Flash專用廠房，將分2期工程興建，其中第1期工程將在2017年2月動工、并預計于2018年夏天完工。

　　東芝指出，關于上述新廠房具體的設備導入、開始生產時間，以及產能、生產計劃等細節(jié)，將待今后評估市場動向之后再決定，且和西數(shù)（Western Digital，“WD”)進行協(xié)商后，雙方今后也將進行共同投資。

　　東芝并指出，該座新廠房將導入活用AI人工智能的生產系統(tǒng)、借此提升生產效率。

　　據(jù)NHK報道，東芝上述新廠房的投資額約800億日元。

　　根據(jù)Yahoo Finance的資料顯示，截至9日上午8點05分為止，東芝勁揚1.59%至376日日元。

　　為了對抗三星電子等競爭對手，東芝于今年3月宣布，將在今后3年內(2016年度-2018年度)總計砸下約8,600億日元投資NAND型快閃存儲器(Flash Memory)，而上述新廠房就是該8,600億日元投資計劃中的一環(huán)。

　　東芝7月27日宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D Flash制程技術，并自當日起領先全球同業(yè)開始進行樣品出貨。東芝指出，采用上述制程技術的256Gb(32GB)產品預計將在2017年前半開始進行量產，主要用來搶攻數(shù)據(jù)中心/PC用SSD、以及智能手機/平板電腦/存儲卡等市場，且今后也計劃推出512Gb(64GB)產品。

　　東芝表示，和48層產品相比，此次新研發(fā)的64層產品每單位面積的存儲容量擴大至1.4倍，且每片晶圓所能生產的存儲容量增加、每bit成本也下滑。

　　東芝統(tǒng)籌存儲器事業(yè)的副社長成毛康雄于7月6日舉行的投資人說明會上表示，將沖刺NAND型快閃存儲器(Flash Memory)產量，目標在2018年度將NAND Flash產量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。

　　成毛康雄指出，將強化3D Flash的生產，目標在2017年度將3D產品占整體生產比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。