中國上海，2025年3月6日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。

　　在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當(dāng)下橋臂[2]關(guān)閉時，米勒電流[1]可能會產(chǎn)生柵極電壓，進(jìn)而導(dǎo)致上橋臂和下橋臂[3]出現(xiàn)短路等故障。常見的保護(hù)措施有，在柵極關(guān)閉時，對柵極施加負(fù)電壓。

　　對于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si）MOSFET更高的電壓、更低的導(dǎo)通電阻以及更快的開關(guān)特性，但柵極和源極之間可能無法施加足夠的負(fù)電壓。在這種情況下，有源米勒鉗位電路的應(yīng)用使米勒電流從柵極流向地，無需施加負(fù)電壓即可防止短路。然而由于部分削減成本的設(shè)計，導(dǎo)致其在IGBT關(guān)斷時減少用于柵極的負(fù)電壓。而且在這種情況下，內(nèi)建有源米勒鉗位的柵極驅(qū)動器是可以考慮的選項(xiàng)。

　　TLP5814H內(nèi)建有源米勒鉗位電路，因此無需為負(fù)電壓和外部有源米勒鉗位電路提供額外的電源。這不僅為系統(tǒng)提供安全功能，而且還可通過減少外部電路來助力實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的最小化。有源米勒鉗位電路的導(dǎo)通電阻典型值為0.69 Ω，峰值鉗位灌電流額定值為6.8 A，因此非常適合作為SiC MOSFET的柵極驅(qū)動器，SiC MOSFET對柵極電壓變化非常敏感。

　　TLP5814H通過增強(qiáng)輸入端紅外發(fā)射二極管的光輸出并優(yōu)化光電檢測器件（光電二極管陣列）的設(shè)計實(shí)現(xiàn)了–40 °C至125 °C的額定工作溫度，從而可提高光耦合效率。因此，面對嚴(yán)格熱管理的工業(yè)設(shè)備，比如光伏（PV）逆變器和不間斷電源（UPS）等是十分適合的。此外，其傳輸延遲時間和傳輸延遲偏差也規(guī)定在工作溫度額定值范圍內(nèi)。其5.85 mm×10 mm×2.1 mm（典型值）的小型SO8L封裝有助于提高系統(tǒng)電路板的部件布局靈活性。此外，它還支持8.0 mm的最小爬電距離，進(jìn)而可將其用于需要高絕緣性能的應(yīng)用。

　　未來東芝將繼續(xù)開發(fā)光電耦合器產(chǎn)品，助力增強(qiáng)工業(yè)設(shè)備的安全功能。

　　應(yīng)用：

　　工業(yè)設(shè)備

　　-光伏逆變器、UPS、工業(yè)逆變器以及AC伺服驅(qū)動等

　　特性：

　　-內(nèi)建有源米勒鉗位功能

　　-額定峰值輸出電流：I_OP＝＋6.8 A／–4.8 A

　　-高工作溫度額定值：T_opr（最大值）＝125 °C

　　主要規(guī)格：

　　注：

　　[1] 米勒電流：當(dāng)高dv/dt電壓應(yīng)用于MOSFET的漏極和柵極之間的電容或IGBT的集電極和柵極之間的電容時，產(chǎn)生的電流。

　　[2] 下橋臂是從使用電源器件的電路的負(fù)載中吸收電流的部件，例如串聯(lián)至電源負(fù)極（或接地）的逆變器，而上橋臂則是從電源為負(fù)載提供電流的部件。

　　[3] 上橋臂和下橋臂短路：由于噪聲引起的故障或開關(guān)過程中米勒電流引起的故障，上下電源器件同時接通的現(xiàn)象。

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