據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子為了鞏固存儲(chǔ)器霸業(yè)，制定了宏偉的DRAM發(fā)展藍(lán)圖，不過(guò)業(yè)界預(yù)估，15納米工藝可能是DRAM制程微縮的極限，與此同時(shí)三星還將感受到來(lái)自中國(guó)業(yè)者的壓力。

　　三星DRAM遇到天花板？15nm工藝或是那道坎

　　三星去年開(kāi)始量產(chǎn)18納米DRAM，目前正研發(fā)17納米DRAM，預(yù)定今年底完成開(kāi)發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時(shí)，三星也成立16納米DRAM開(kāi)發(fā)小組，目標(biāo)最快2020年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020年量產(chǎn)時(shí)間可能延后。

　　三星從20納米制程，轉(zhuǎn)進(jìn)10納米制程，縮小線寬（Line－width）的速度明顯放緩。對(duì)此，三星設(shè)備解決方案部門(mén)的半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室人員Jung Eun－seung說(shuō)，為了繼續(xù)縮小線寬，必須開(kāi)發(fā)與當(dāng)前不同的新材質(zhì)，并提高制程穩(wěn)定性，以便進(jìn)入量產(chǎn)。因?yàn)橛?5nm開(kāi)始，電流外泄和電容器干擾和情況將更為明顯，需要開(kāi)發(fā)新的材質(zhì)。

　　業(yè)界人士估計(jì)，15納米或許是制程微縮的極限，未來(lái)三星可能難以透過(guò)制程微縮拉大與對(duì)手差距，并擔(dān)憂中國(guó)業(yè)者急起直追，趕上三星。