中國半導體業要實現制造DRAM夢己經初現曙光，近期由臺灣咨詢時報報道的合肥“睿力”做19納米DRAM引起業界的廣泛興趣。

一直低調行事的合肥“睿力”DRAM項目，由前應用材料公司資深副總裁David王寧國領軍。

匯總消息，“睿力”做DRAM，采用19納米制程工藝。該項目總占地面積約1582畝，一期總投資額約80億美元，一期的兩層廠房預計2017年三季度完工。目前已開始下設備的PO訂單，計劃今年10月設備開始安裝，有望2018年Q1通線試產。根據從設備廠得到的反饋是項目的技術人員比較專業，工藝設備的PO訂單思路清晰，由此表示項目的技術團隊人員完整，至少它們之中有部分人懂得怎么做DRAM。

中國半導體業要下決心攻克存儲器，目前己有三家：

武漢的長江存儲，做32層的3D NAND；

福建晉江的晉華，利用聯電的技術，做利基型DRAM，據傳由32納米啟步；

合肥的王寧國，幾次易名，現在叫睿力集成（以下簡稱“睿力”），做19納米的DRAM。

全球DRAM的競爭態勢

眾所周知，全球DRAM是三星獨霸。據DRAMeXchange于2017年2月的2016Q4數據，三星依5，918M美元居首，市場份額占47.5%；SK Hynix的3，330M，占26.7%及Micron的2，421M，占19.4%，Nanya的581M，占3.1%，及Winbond的166M，占1.3%與Powerchip的102M，占0.8%。也即三大一中及二小局面，三星，海力士及美光為三大，共計占93.6%，一中為臺灣地區的南亞科占3.1%，二小分別為華邦電及力晶。

三星DRAM從20納米級制程（28-25-20），轉進1x納米制程。外媒報道，三星是DRAM龍頭，制程領先對手1~2年，2016年下半年首先量產18納米DRAM，計劃今年下半年推進至15納米。

研究機構估計，今年底為止，三星打算把18納米DRAM的生產比重，提高至30%。

三星一馬當先，DRAM第三大廠美光拼命追趕，計劃未來兩三年砸下20億美元，研發13納米DRAM制程。美光已于今年第一季量產18納米DRAM。

與此同時，SK海力士也準備在今年下半年量產電腦用的18納米DRAM，接著再投入移動設備用的18納米DRAM。

SK海力士會優先提高21納米制程良率，之后轉進20納米、再轉向18納米。SK海力士人員透露，該公司正在研發1y DRAM制程，但是還不確定量產時間。

根據科技新聞（Technews）從供應鏈所掌握的消息，市場原本預計，在進入2017年第2季之后，因為有三星18納米的PC DRAM存儲器模組與美光17納米的PC DRAM存儲器模組相繼出貨，供貨吃緊的狀況應該可以得到緩解。不料，三星繼上次召回有瑕疵的18納米制程的PC DRAM存儲器模組之后，近期再次出貨的情況仍舊沒有改善，還因而造成PC大廠在DPPM（defective parts per million的縮寫，是指百萬分比的缺陷率）每百萬臺的不良率有大幅的提升。而除了三星之外，美光的17納米制程PCDRAM存儲器模組也碰上相類似的情況。甚至以目前出貨給客戶的樣本來看，估計良率還低于50%以下。

據2017年4月15日的IC Insights預估，2017年全球DRAM產值可望達573億美元，將較去年增長達39%，其中的原因是DRAM價格自2016年中以來快速走高。據統計，DRAM平均售價已自2016年4月的2.41美元，大幅攀高到2017年2月的3.7美元，漲幅高達53.3%。

韓國半導體月產能為月產350萬片（8英寸計，2016年底數據），其中在DRAM方面，三星為月產40萬片（12英寸計），海力士為30萬片，而在NAND方面，三星為40萬片及海力士為21萬片，其余的為代工等產能。

三星20nm DRAM工藝通過雙重曝光技術、采用蜂窩狀結構，將單元密度提升了多達70％，18nm時則會進一步使用四重曝光技術（QP），每一次電路蝕刻都要進行3-4次曝光，并繼續改進結構密度，整體效能可提升至少20％。

近期力晶董事長黃崇仁認為，DRAM制程技術已率先進入摩爾定律極限，目前要新建一座1x納米的DRAM廠，月產能40，000片，投資要近50億美元，因此即便成品率達到85%，每顆DDR4，8Gb的成本近2美元。

綜上所述“睿力”的19納米DRAM產品，己處于先進行列，與三星等的差距可能僅在一代左右。

DRAM夢初現曙光

據IC Insight數據，2014年時中國消耗DRAM為179億美元，占全球DRAM466億美元的38.4%。再依IC Insight于2017年4月的最新預測，2017年全球DRAM的銷售額為573億美元，同比增長39%。

因此“睿力”DRAM項目的迅速上馬，在中國半導體業的發展史中具有特別重要的意義，它表現在以下方面：

·實現DRAM自主制造的另突破

·技術上先進性

它采用19納米制程技術，迅速的進入全球最先進DRAM行列中。

·走在前列

從三家中國存儲器廠的進度比較，都揚言2018年要實現量產，然而無疑“睿力”是走在最前列，它將于明年Q1實現量產，由此可能使合肥將真正成為中國半導體業的重鎮之一。

·可能解決15%以上的DRAM國產化率

預測2020年銷售額達到30億美元以上（按月產能100，000片，成品率85%，每個晶園2000-3000美元計算，再加上封裝，測試等），成為全球DRAM第四大企業，預計可能解決約15%以上的DRAM國產化率。

中國的存儲器業成長沒有捷徑，只有經受住打壓，全球化的競爭之后才能呈現穩定的茁壯成長。盡管前進的路很崎嶇，但是相信中國擁有全球最大的半導體市場，包括存儲器等，以及發展半導體業是國策之一，因此各種看衰中國存儲器業發展的言論，最終會不攻自破，無聲無息。