中國大陸存儲器業(yè)者的生產(chǎn)計劃包括福建晉華、合肥長鑫、長江存儲、紫光集團，預(yù)定投產(chǎn)時間介于2018年下半年-2019年，主要產(chǎn)品包括DRAM、利基型存儲器、NAND Flash，初期產(chǎn)能介于2-5萬片，未來最大產(chǎn)能可望上沖4-10萬片，中長期計劃更將擴大至12.5-30萬片的規(guī)模。但是由于短期內(nèi)國際購并案推行不易，技術(shù)、人才取得受阻，導(dǎo)致短期內(nèi)中國大陸發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)仍需克服專利及人力等重重障礙。

　　然而值得一提的是，今年5月中國大陸突襲調(diào)查Samsung、SK Hynix、Micron等國際DRAM大廠，調(diào)查內(nèi)容主要涉及近年DRAM價格飆漲和業(yè)界反映的產(chǎn)品搭售問題，名目雖是以反壟斷的名義約談，但市場多認(rèn)為中國大陸實質(zhì)恐是希望在中國大陸存儲器廠即將量產(chǎn)的關(guān)鍵時刻，期望國際三大存儲器廠能夠在專利的部分給予中國大陸廠商一些空間，借此換取談判的籌碼。

　　事實上，中國大陸存儲器是否能于2018年底或2019年初正式進入量產(chǎn)并銷售的階段，仍有待后續(xù)觀察，畢竟目前DRAM及NAND Flash的專利都掌握在國際大廠手中，況且累積數(shù)量可觀、范圍廣泛的專利資產(chǎn)，在沒有獲得授權(quán)技轉(zhuǎn)情況下很容易發(fā)生侵權(quán)；況且存儲器制程推進速度快，在沒有經(jīng)驗的情況下，要建立生產(chǎn)線并進入量產(chǎn)投片階段的難度大增；此外，中國大陸存儲器業(yè)者雖然嘗試透過延攬任職于其他公司的工程師，帶來相關(guān)知識以提升技術(shù)，但此做法有引發(fā)訴訟等各種問題的可能。

　　而中國大陸集成電路制造龍頭中芯國際方面，估計持續(xù)位居2018年上半年全球晶圓代工第5名，且市占率由2017年的5.4%提升至5.9%，主要是受惠于2018年第2季28納米產(chǎn)品組合回升至高個位數(shù)的占比，且存儲及CIS等產(chǎn)品訂單增量改善公司的產(chǎn)能利用率所致。不過2018年下半年中芯國際面臨新增產(chǎn)能所需設(shè)備到位時間不確定、同業(yè)擴產(chǎn)帶來的競爭壓力，因此公司營收增速以及毛利率恐出現(xiàn)雙重回落的風(fēng)險。在未突破高階28奈米技術(shù)HKC+量產(chǎn)進程之前，今年仍為中芯國際技術(shù)進階及業(yè)績壓力并存的過渡期。

　　整體來說，5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、工業(yè)機器人、智能穿戴式裝置等給中國大陸集成電路制造業(yè)帶來新的增長動力，特別是中美貿(mào)易戰(zhàn)的中興通訊事件更加速與確立中國大陸發(fā)展半導(dǎo)體的決心，官方也意識到集成電路產(chǎn)業(yè)是國民經(jīng)濟中基礎(chǔ)性、關(guān)鍵性和戰(zhàn)略性的產(chǎn)業(yè)，集成電路產(chǎn)業(yè)的強弱是國家綜合實力強大與否的重要標(biāo)志。為了不受制于人，并且能分享未來新興領(lǐng)域的紅利，發(fā)展自主集成電路已經(jīng)成為中國大陸刻不容緩的首要之務(wù)；不過短期內(nèi)中國大陸集成電路制造業(yè)的發(fā)展重點，仍系于中芯國際與存儲器族群。