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三星西安工廠將升級286層NAND Flash工藝

2025-02-13
來源:芯智訊

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2月13日消息,據BusinessKorea韓國媒體報導,三星正計劃將其位于中國西安的工廠升級至286層堆疊的NAND Flash閃存制程技術,以應對當前的市場低迷且日益激烈的競爭狀態。

報導指出,自2023年以來,三星一直在推動西安工廠的主流128層堆疊NAND Flash快閃記憶體制程向236層堆疊技術發展。而為了提升其競爭力,三星這次決定安裝一條286層堆疊的NAND Flash閃存生產線,該產線計劃在上半年引進所需的新設備,并計劃在下半年建立完成一條月產2,000至5,000片晶圓的產線。這項發展,預計是三星保持技術領先地位和確保長期產品競爭力策略的一部分。

資料顯示,中國西安工廠是三星唯一的海外存儲芯片生產基地,對該公司全球供應鏈至關重要,生產了該公司約40%占比NAND Flash閃存。未來升級到286層堆疊制程之后,預計將顯著增強該工廠的生產能力。

此前美國拜登政府已經決定在2023年給予三星經過驗證的最終用戶(VEU)地位,這一地位使得三星可以在中國生產200層以上堆疊的NAND Flash閃存,進一步在美國限制向中國出口先進半導體制造設備的制裁措施下,提供了一定的回旋空間,這使三星能夠在面臨地緣政治緊張局勢情況下,能繼續在中國進行其先進的NAND Flash閃存制造流程。

報導引用市場人士的說法表示,三星在國內提升先進NAND Flash生產技術的同時,也在中國的進行相關的技術升級,這種雙重策略凸顯了三星企圖維持在國內外的競爭優勢的作法。因為自2024年下半年以來,三星一直致力于將400層堆疊的NAND Flash生產技術應用于韓國平澤一號工廠量產線,并可能在2025年下半年實現初步量產步驟。

三星日前在公布2024年第四季的業績時表示,將加速向236層和286層堆疊的NAND Flash的生產技術發展,以確保長期的產品競爭力。然而,盡管取得了這些進步,但三星預計2025年第一季每月42萬片的NAND Flash產量,仍較2024年第四季減少約25%。這主因是為了反映受價格上漲和利率上漲等經濟因素,使得當前手機和PC市場需求下滑所導致的供過于求現象。不過,人工智能數據中心等市場需求仍日益成長,推動三星等專注于高效能、高容量的NAND Flash產品的生產。


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