在10月22日召開的北京微電子國際研討會暨IC World大會上，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司（簡稱“大基金”）總裁丁文武表示，發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)是建設(shè)創(chuàng)新國家的必然選擇，不管國際形勢多么復(fù)雜和嚴(yán)峻，中國發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的信心和決心不會改變。發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)要在“補(bǔ)短板、強(qiáng)長板”方面下功夫。
IC產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展
據(jù)丁文武介紹，今年上半年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為2726.5億元，同比增長23.9%。其中，設(shè)計(jì)銷售額為1019億元，同比增長22.8%；制造銷售額為737.4億元，同比增長29.3%，繼續(xù)保持高速增長態(tài)勢；封測銷售額為970億元，同比增長21.2%。
中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)顯示，自2012年以來，國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額連續(xù)保持每年兩位數(shù)高速增長態(tài)勢。2012年的銷售額為2158.5億元，同比增長11.6%；2013年銷售額為2508.51億元，同比增長16.2%；2014年銷售額為3015.4億元，同比增長20.2%；2015年銷售額為3609.8億元，同比增長19.7%；2016年為4335.5億元，同比增長20.1%；2017年為5411.3億元，同比增長24.8%。
國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模快速發(fā)展的同時(shí)，技術(shù)水平不斷提升。丁文武指出，在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域，14納米和16納米的設(shè)計(jì)占比進(jìn)一步增加，設(shè)計(jì)水平接近國際先進(jìn)水平；在制造領(lǐng)域，28納米工藝實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，14納米和16納米工藝研發(fā)與生產(chǎn)線建設(shè)取得階段性進(jìn)展；在封測領(lǐng)域，中高端封裝比例占30%以上；在裝備材料領(lǐng)域，部分關(guān)鍵材料和裝備已經(jīng)進(jìn)入國內(nèi)外生產(chǎn)線。
值得一提的是，近期國內(nèi)集成電路制造領(lǐng)域捷報(bào)頻傳。10月18日，華力二期12英寸先進(jìn)生產(chǎn)線正式建成投片；8月9日，中芯國際宣布在14納米FinFET技術(shù)開發(fā)上取得重大進(jìn)展；8月9日，長江存儲在美國召開的閃存峰會詳細(xì)介紹了X-tacking技術(shù)。丁文武表示，在存儲制造領(lǐng)域，“3D NAND flash和DRAM生產(chǎn)線正在建設(shè)過程中，有望很快建成投片。”
大力補(bǔ)短板、強(qiáng)長板
丁文武指出，要清醒認(rèn)識到，與國際水平相比國內(nèi)還有很大差距。一是對外依存度高，技術(shù)水平差距大；二是高端核心芯片基本依賴進(jìn)口；三是產(chǎn)業(yè)規(guī)模差距大；四是企業(yè)研發(fā)投入與國際大企業(yè)相比差距大；五是人才還有大量缺口。
“盡管目前面臨復(fù)雜嚴(yán)峻的國際形勢和挑戰(zhàn)，但要看到，國內(nèi)發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)還是有機(jī)遇的，包括政策的大力支持、巨大的市場需求、新技術(shù)和新興產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新驅(qū)動帶來的活力，以及對外開放、國際合作等。”丁文武表示，今后集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展要在“補(bǔ)短板、強(qiáng)長板”方面下功夫。要理性發(fā)展集成電路制造業(yè)。現(xiàn)在很多地方發(fā)展集成電路的積極性很高，但要避免低水平重復(fù)、無序化、同質(zhì)化以及分散化的現(xiàn)象。
具體到實(shí)踐層面，丁文武認(rèn)為，在設(shè)計(jì)領(lǐng)域，要大力發(fā)展高端芯片，比如CPU、MCU等；在制造領(lǐng)域，要大力發(fā)展先進(jìn)工藝生產(chǎn)線、存儲生產(chǎn)線以及化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線等；在封測領(lǐng)域，要擴(kuò)大高端封測的能力；在裝備領(lǐng)域，要大力發(fā)展光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)等高端設(shè)備；在材料領(lǐng)域，要推動大硅片、光刻膠、靶材、高純化學(xué)品等關(guān)鍵核心材料的產(chǎn)業(yè)化。