以前一扯到CPU關(guān)于新制程進(jìn)程方面的東西，一些大佬就要開始提摩爾定律，作為Intel創(chuàng)始人之一戈登·摩爾提出的這項(xiàng)理論，Intel無疑是目前最為堅(jiān)定的捍衛(wèi)者之一，不過隨著現(xiàn)目前臺(tái)積電和三星方面在工藝節(jié)點(diǎn)方面的全面超越已經(jīng)開始量產(chǎn)10nm和即將試產(chǎn)的7nm工藝，在進(jìn)度方面那可是比Intel方面快多了，很多朋友到現(xiàn)在也沒有想清楚具體原因，今兒個(gè)小獅子就來跟大家聊這個(gè)話題。

　　我記得..Intel不一直是大佬嗎？道理是這樣的沒錯(cuò)，不過現(xiàn)目前基于智能手機(jī)的工藝發(fā)展趨勢(shì)，整體上兩家半導(dǎo)體公司在工藝節(jié)點(diǎn)上對(duì)Intel進(jìn)行了全面超越，大佬自然是坐不住的；甚至專門給出了統(tǒng)一衡量工藝標(biāo)準(zhǔn)的相關(guān)公式，也借此希望友商能夠稍微“誠實(shí)”一些。

　　讓大家調(diào)侃兩句大佬就坐不住了？肯定是沒有那么簡(jiǎn)單的，小獅子就先來說說為什么Intel要介意這個(gè)問題，我們就說早在幾年前的時(shí)候，當(dāng)時(shí)Intel在半導(dǎo)體方面絕對(duì)是要領(lǐng)先于臺(tái)積電的，更別說那個(gè)時(shí)期的三星半導(dǎo)體，因?yàn)楫?dāng)年在22nm節(jié)點(diǎn)的時(shí)候Intel就已經(jīng)率先量產(chǎn)我們現(xiàn)在經(jīng)常能看到的3D FinFET工藝，而那個(gè)時(shí)候三星和臺(tái)積電實(shí)際上才剛剛開始推出自家的28nm工藝還沒有多久，所以無論從封裝工藝還是制程節(jié)點(diǎn)方面都是處于全面的落后狀態(tài)的。

　　轉(zhuǎn)折點(diǎn)，就在這里,你要說轉(zhuǎn)折點(diǎn)在哪里發(fā)生，就是在我們當(dāng)下14nm工藝節(jié)點(diǎn)上，而因?yàn)镮ntel自身在14nm上遇到的技術(shù)問題，原本計(jì)劃的Fab 14工廠升級(jí)工藝也被取消了，所以在這個(gè)時(shí)期我們熟悉Tick-Tock的工藝戰(zhàn)略上出現(xiàn)了長(zhǎng)時(shí)間的停擺，而此前小獅子也跟大家聊過關(guān)于年底10nm泡湯，14nm將再續(xù)一年的相關(guān)故事。而8th的酷睿系列產(chǎn)品也將會(huì)使Intel第四代的14nm技術(shù)了。

　　就趁著這個(gè)時(shí)候，臺(tái)積電和三星半導(dǎo)體在16/14nm FinFET工藝方面進(jìn)行了大幅度的追趕，今年AMD在Ryzen處理器上在這段時(shí)間追趕上來了，AMD今年推出的Ryzen處理器使用的就是由格羅方德提供的的14nm LPP(Low Power Plus低功耗加強(qiáng)版)工藝，在工藝代差方面也已經(jīng)做到了追平。

　　而大佬生氣的真正原因，其實(shí)一個(gè)很重要的原因就是臺(tái)積電和三星半導(dǎo)體實(shí)際在制程工藝方面玩了一個(gè)很騷的小花招：半導(dǎo)體實(shí)際的復(fù)雜程度不言而喻，而大家聽到最多的就是XX nm的工藝，其實(shí)這個(gè)名詞代表的是線寬，而理論上來講，線寬越小，半導(dǎo)體就越小，晶體管也越小，制造工藝越先進(jìn)。這本身是沒有問題的。

　　我但是君今天又要出場(chǎng)了,但是！如果去用線寬去整合定義一款半導(dǎo)體工藝的先進(jìn)程度氣勢(shì)上是并不準(zhǔn)確的，因?yàn)楦?xì)節(jié)的柵極距（gate pitch）、鰭片間距（Fin Pitc）這些關(guān)鍵的決定性因素。，Intel早前就對(duì)比過他們與TSMC、三星的16、14nm工藝，大家可以在下圖有一個(gè)較為明顯的對(duì)比了。