2018年7月，臺灣晶電和波士頓大學的專利侵權訴訟案經美國聯邦巡回上訴法院二審判決，判定波士頓大學專利權無效，晶電勝訴。該專利侵權訴訟案要追溯到2012年10月，當時美國麻州地方法院向臺灣晶電及客戶提出波士頓大學該專利的侵權訴訟，要求賠償金額568萬余美元。2015年11月，由非專業人士組成的陪審團裁定臺灣晶電侵權并需賠款930萬美元。

案件涉及的專利為美國專利US5686738，是高絕緣單晶硅制備氮化鎵薄膜技術，由波士頓大學電子與電腦工程教授Theodore Moustakas所發明，在1995年提出專利申請，于1997年取得專利，并由波士頓大學基金會負責管理。雖然該專利已在2014年11月11日①到期，但針對專利過期前的侵權爭議，法律訴訟遠不止臺灣晶電一起。

①：1995年6月8日以前申請的美國專利年限等于＂最早母案申請日＋20年＂或＂核準日＋17年＂，兩者取其晚者。專利US5686738發布日期為1997年11月11日，申請日期為1995年1月13日，優先權日期為1991年3月18日，根據美國的核算方式，到期時間兩者取其晚者：取發布日期1997＋17年＝2014年11月11日

波士頓大學基金會多年來以該專利提起數十件美國專利侵權訴訟，涉及訴訟對象除了晶電外，還包括日亞化學（Nichia）、億光、光寶、宏齊、首爾半導體（Seoul Semiconductor）、三星等LED廠，于2013年起又相繼控告蘋果、聯想、HTC、亞馬遜、宏碁、華碩、明基電通、宏達電、戴爾、微軟、東芝、索尼、LG等終端品牌廠商。其中2013年7月，波士頓大學因蘋果iPhone、iPad、MacBook Air等產品使用的半導體技術涉及侵害該專利內容，針對蘋果的求償金額最高達到約7500萬美元。波士頓大學曾將US5686738專利授權給LED晶片廠科銳（CREE）使用，此專利的侵權案件中也有部分是由科銳提出的。這些被指侵權的廠商部分支付了專利授權費，部分與波士頓大學通過交叉授權達成和解。

波士頓大學提起訴訟的這些企業名稱就已經讓人感慨，幾乎所有行業知名的LED企業和電子設備廠商全部都與波士頓大學打過交道。那么我們不禁好奇：

US5686738這個專利主要是什么內容？波士頓大學對該專利進行怎樣的布局和保護，以致后來眾多知名廠商都遭遇波士頓大學提起的侵權訴訟？

專利的眾多訴訟案件中，最近這次為什么最后判定晶電勝訴、波士頓大學專利權無效？

從案件之外來看，這個專利為什么相關的侵權訴訟金額都如此之高？它到底解決了什么行業技術問題，有哪些應用？又有哪些前景？

方象知產研究院在這里從專利和市場的角度分別進行分析。

一專利US5686738的地位、方法和基本保護情況

1． 專利的行業地位：推動LED革命

實際上，專利US5686738提供的氮化鎵制備方法發明在發光二極管（即LED，以下簡稱LED）發展史上有著重要的促進作用，具體來說就要簡單梳理一下LED的發展史：

1962年，美國Biard以及Pittman申請了描述具有間隔的陰極接觸的鋅擴散的p－n結LED，這種LED在正向偏壓下有效發射紅外光，美國專利局使用優先權立即批準了這個專利US3293513，并認為此專利是最早的LED的專利。

1962年－1971年，LED技術持續發展，LED已經出現了紅、橙、黃、綠、翠綠等顏色，并被用于機器儀器的顯示光源。但由于光的三原色仍缺少藍色光源，令照明的白色光源始終無法創建。因為只有能量高的光能夠激發出能量低的光，而能量低的光無法激發能量高的光，相對而言，藍光能量是紅光能量的1．5倍還多，因而沒有藍光LED就無法合成白光LED。因此，無論是在科學界還是工業界，如何造出藍光LED曾困擾了人們數十年。

80年代后期氮化鎵外延增長和p型摻雜有了重大技術突破，在此基礎上，波士頓大學的Theodore Moustakas教授于1991年使用新的兩步法生產“氮化鎵薄膜”，可以用來制造廉價而緊湊的全固態藍色激光器，也就是我們說的專利US5686738。

圖1：波士頓大學Theodore Moustakas教授

來源：波士頓大學官方網站

1993年，日本的中村修二使用類似的氮化鎵生長工藝制作出高亮度藍光LED。經過10余年的發展，2014年諾貝爾物理學獎頒發給日本科學家赤崎勇、天野浩和中村修二，獲獎理由是“發明高效藍光二極管，帶來明亮而節能的白色光源”。藍光LED也被獲譽“愛迪生之后的第二次照明革命”。隨著LED三原色的齊全，白光LED開始引領新的技術發展，最典型常見的就是現在平板電腦和手機上使用的高亮度高分辨率LED屏幕。

綜合來看，波士頓大學Theodore Moustakas教授的發明專利實際上推動了LED革命性的發展，雖然后續發展不像中村修二的影響那么有名，但他的發明專利是主要的證實可行且較經濟的氮化鎵制備方法，因而生產或使用氮化鎵及LED的半導體企業或是終端生產廠商被波士頓大學屢次提起訴訟就可以理解了。

那么教授是如何制備氮化鎵的呢？也就是說這個專利的主要內容是什么呢？有什么特別之處呢？

2． 專利主要內容：兩步法生產“氮化鎵薄膜”

簡單總結一下，Moustakas教授US5686738這項發明專利涉及的是一種在分子束外延生長室中制備高絕緣氮化鎵單晶膜的方法。該方法為所需的氮化鎵晶體結構提供適當的晶格匹配的單晶襯底，在生長室內提供鎵分子束源和活化的原子和離子氮源。在兩步生長工藝（低溫成核步驟和高溫生長步驟）中，將襯底向鎵溶劑和氮源暴露，由此來沉積所需的膜。低溫工藝在100－400℃下進行，高溫工藝在600－900℃下進行。活性氮的核心來源是電子回旋共振微波等離子體。

具體來看，該發明專利中使用的ECR－MBE系統如圖2所示。ECR系統（電子回旋共振系統，圖2：10，藍色部分）與MBE系統（分子束外延系統，圖2：11，橙色部分）通過瀉流端口（圖2：12）連接完成系統的集成。

其中，ECR系統（圖2：10）包括：微波發生器（圖2：13），波導（圖2：14，定向引導電磁波），高真空等離子體室（圖2：15）和兩個電磁鐵（圖2：16）和（圖2：17）。等離子體室（15）被兩個電磁鐵（圖2：16）和（圖2：17）包圍。上磁體（圖2：16）由2kW電源（未示出）供電，下磁體（圖2：17）由5kW電源（未示出）供電。通過這種方式定位電磁鐵能夠導致更強烈和穩定的等離子體。2個電磁鐵形成一個回旋加速器，回旋頻率取決于磁場強度和電子電荷質量比：

ωce＝eB／m

其中，ωce為回旋頻率，e和m為電子電荷及其質量，B是磁場強度

圖2： ECR輔助的MBE生長室的橫截面圖

來源：專利US5686738，方象知產研究院翻譯制圖

1）ECR系統：生成穩定微波分解活化原子和離子氮

首先，微波發生器（圖2：13）生成2．43GHz微波，并沿矩形波導（圖2：14）傳播，100－500W的微波功率通過波導（圖2：14）進入等離子體室（圖2：15）。上電磁鐵（圖2：16）將等離子體室（圖2：15）中的自由電子導入回旋加速器軌道，由于所有電子都位于回旋加速器軌道，因此隨機運動和碰撞所損失的能量得以減少。同時，等離子體被限制在等離子體室（圖2：15）的中心。通過電磁鐵調節磁場使得微波的振蕩頻率恰好等于電子的回旋頻率（即調整等離子體室的微博振蕩頻率使ω＝ωce），準備與氮氣發生撞擊。

通過質量流量控制器（18）維持可調節的恒定流量，氮氣通過質量流量控制器（18）流入等離子體室（圖2：15），并在等離子體室（圖2：15）中通過與高能電子撞擊，氮氣得以分解成高能原子氮和離子氮。然后，下電磁鐵（圖2：17）將離子引導通過噴射口（圖2：12）朝向基板襯底（圖2：19），襯底（圖2：19）位于MBE系統（圖2：11，橙色部分）的生長室（圖2：21）中連續方位角旋轉單元CAR（圖2：20）上。CAR（圖2：20）可以在0和120rpm之間旋轉。

2）MBE系統：兩步法生長氮化鎵

鎵熔劑在努森隙透單元（圖2：22）中產生并通過鎵快門（圖2：23）控制其進入生長室（圖2：21）。

一般工藝中，由于襯底（圖2：19）在600℃下會被氮等離子體濺射蝕刻，因此襯底首先在氮等離子體存在條件下冷卻至270℃，打開鎵快門（圖2：23）使氮化鎵初始緩沖層得以沉積。緩沖層一般在10分鐘內成核，此時關閉鎵快門（圖2：23）停止膜的成核。

然后將襯底在氮等離子體存在條件下以每15秒4℃的速度緩慢加熱至600℃，一旦達到600℃，在氮等離子體存在下，使襯底（圖2：19）在該溫度下保持30分鐘，確保氮化鎵緩沖層結晶。再次打開鎵快門（圖2：23）以生長氮化鎵單晶膜。

薄膜的厚度約為1微米，但理論上對薄膜厚度沒有限制。在整個過程中氮壓力和鎵通量保持恒定。兩步生長過程考慮成核或緩沖層。緩沖層在100－400℃的溫度下產生，由于溫度較低，氮空位形成的可能性降低。隨著溫度升高到600℃，非晶薄膜結晶。以后的生長全部在結晶的氮化鎵緩沖層上完成。通過這兩步法生長的膜優于通過一步生長法生長的膜。

整體過程如圖3簡化示意：圖中藍色的ECR系統生成穩定微波分解出活化原子和離子氮，橙色的MBE系統通過鎵快門引入鎵熔劑，在生長室內氮和鎵開始作用。通過控制溫度先在襯底上產生緩沖層（100－400℃），再基于緩沖層生長氮化鎵單晶膜（600－900℃）。

圖3： 氮化鎵生長示意圖

來源：方象知產研究院根據專利US5686738描述制圖

3． 專利優勢：兩步法生長氮化鎵的性能更為穩定

Moustakas教授在US5686738發明專利中對一步法和兩步法生長氮化鎵的性能進行了XRD②檢測，在藍寶石襯底的α平面上生長的氮化鎵膜的XRD圖案③如下。一步法如圖4a和兩步法如圖4b。

②：XRD，X－ray diffraction，X射線衍射。通過對材料進行X射線衍射，分析其衍射圖譜，獲得材料的成分、材料內部原子或分子的結構或形態等信息的研究手段。

③：圖像橫坐標為角度（度），是2θ角，是衍射譜儀掃描的角度；縱坐標是接收器檢測到的計數，單位：CPS，每秒計數counts per sec。

圖4a：一步法制備氮化鎵膜的XRD圖案

來源：專利US5686738

圖4b：兩步法制備氮化鎵膜的XRD圖案

來源：專利US5686738

根據Moustakas教授的說法，一步法（圖4a）制備氮化鎵在2θ＝35°存在2個峰值，因而結構存在缺陷。而兩步法（圖4b）使大部分薄膜生長在氮化鎵緩沖層的頂部，并且看不到下面的襯底，衍射圖案僅具有單峰，質量更為穩定。相比一步法制備的氮化鎵僅有唯一的高度缺陷。因而Moustakas教授的方法非常有效的提供了相對優質的氮化鎵薄膜，為后續研究應用奠定了基礎，也成為日后各個廠商及行業發展的基礎。

二晶電案件主要的權利要求爭議和判決

1． 專利的權利要求：多角度規定制備方法和襯底材料

既然專利US5686738推進了LED的變革，那么如此重要的專利又是如何進行保護的呢？US5686738專利的權利要求中提到的使用材料基本涵蓋了行業中制備氮化鎵的所有主流襯底材料，同時又對各種制備方法的變型進行了要求，因而半導體企業或是終端生產廠商在使用LED時被波士頓大學屢次提起訴訟就可以理解了。

具體來看，專利US5686738涉及權利要求有21項，其中很多權利要求都是細微調整。其中基本描述為（下段下文簡稱“基本描述”）：

一種半導體器件，包括：襯底，所述襯底選自（100）硅，（111）硅，（0001）藍寶石，（11－20）藍寶石，（1－102）藍寶石，（111）砷化鎵，（100）砷化鎵，氧化鎂，氧化鋅和碳化硅的材料組成。

使用典型材料襯底的半導體器件均有所提及，這些襯底材料幾乎涵蓋了制備氮化鎵可能使用的所有主要材料。第1項權利要求基于以上基本描述補充：

一種厚度約為30埃至約500埃的非單晶緩沖層，包括在所述襯底上生長的第一材料，第一材料基本上由氮化鎵組成；和在緩沖層上生長的第一生長層，第一生長層包括氮化鎵和第一摻雜劑材料。

第8項權利要求基于基本描述補充：

非單晶緩沖層，包括在所述襯底上生長的第一材料，第一材料基本上由氮化鎵構成；在緩沖層上生長的第一生長層，第一生長層包括氮化鎵和受主摻雜劑材料；在第一生長層上生長的第二生長層，第二生長層包括氮化鎵和施主摻雜劑材料。

接下來11、13、15、16、18、19、20、21項權利要求均為不同角度的描述補充。

其中第15項權利基于基本描述補充：

一種厚度約為30埃至約500埃的非單晶緩沖層，包括在所述襯底上生長的第一材料，第一材料基本上由氮化鎵構成；和一種活化的p型生長層，包括氮化鎵和在不使用生長后活化步驟的情況下形成的受體摻雜劑材料。

主要對生長層進行了另外的描述，同時將半導體器件描述為“一種具有激活的p型層的半導體器件”。又是對第1項權利要求的不同補充。

從專利保護的角度，專利US5686738幾乎把主流襯底的各種生長方法和可能性都考慮到并統一進行了專利權利要求。

表1：專利US5686738主要權利要求

來源：專利US5686738，方象知產研究院翻譯整理

此外，第2、3、6、7項權利要求又對第1項權利要求進行了補充，如第2項權利要求：如權利要求1所述的半導體器件，還包括：在第一生長層上生長的第二生長層，第二生長層包括氮化鎵和第二摻雜劑材料。第3項權利要求：如權利要求1所述的半導體器件，其中所述緩沖層在第一溫度下生長，并且其中所述第一生長層在高于所述第一溫度的第二溫度下生長。

表2：專利US5686738其他權利要求

來源：專利US5686738，方象知產研究院翻譯整理

2． 晶電案件的爭議和判決

基于波士頓大學US5686738這項專利，在與臺灣晶電專利爭議中，主要集中在第19條權利要求，即：

19．一種半導體器件，包括：

襯底，所述襯底由選自（100）硅、（111）硅、（0001）藍寶石、（11－20）藍寶石、（1－102）藍寶石、（111）砷化鎵、（100）砷化鎵、氧化鎂、氧化鋅和碳化硅的材料組成；非單晶緩沖層（a non－single crystalline buffer layer），包括在所述襯底上生長的第一材料，第一材料基本上由氮化鎵構成；和生長（grown on）在緩沖層上的生長層，生長層包括氮化鎵和第一摻雜劑材料。

美國地區法院在這里解釋了兩個術語的定義。首先，“生長（grown on）”被解釋為“間接或直接在上面形成”。在這種結構下，權利要求19的生長層和緩沖層不必直接接觸，它們之間可以有介入層。其次，地區法院將“非單晶緩沖層（a non－single crystalline buffer layer） ”解釋為“一層不是單晶的材料，即多晶、無定形或多晶和非晶的混合物，位于第一襯底和第一生長層之間?！?/p>

氮化鎵薄膜的制備基于該專利方法，臺灣晶電使用技術正涉及在緩沖層上生長生長層，波士頓大學認為侵犯了第19條權利要求。而晶電認為第19條權利要求不適用，因為該專利說明書沒有教導本領域技術人員如何制造具有直接在無定形緩沖層上生長單晶生長層所要求保護的半導體器件。相反，晶電引用了一些專家證詞和證據來證明晶電能夠在專利有效日期之后的幾年內直接在非晶層上生長單晶層，有證據證明這是使用其他方法實現的，而且是波士頓大學沒有給出建議的方法。

針對這一點爭議，美國地區法院認為，波士頓大學在某種程度上創建了自己可實現問題（enablement problem④）。在索賠范圍內獲得包括純無定形層的索賠結構之后，波士頓大學需要成功抵御對索賠的全部范圍的挑戰。換句話說：如果波士頓大學想要將其他人排除在它所認為的發明之外，其專利需要教會公眾如何制造和使用該發明。

④：美國專利法包括的可實現（enablement）類似于我國專利法第26條第3款的規定，要求說明書要給出教導本領域技術人員不用進行過分試驗就能確定如何完成和使用該發明的最低信息。

綜上，波士頓大學US5686738專利中并沒有明確給出制造相關半導體器件的具體方法，同時晶電能夠證實其使用的方法是在US5686738專利有效期之后，且使用的并非該專利給出的方法。因而最終判定波士頓大學專利權無效，晶電勝訴。

三氮化鎵的主要應用和前景

關于US5686738專利的各種侵權案隨著2014年專利到期逐步塵埃落定，但是氮化鎵卻隨著技術發展與人們的生活越來越近，那么氮化鎵又有怎樣的特點？除了可以應用在最常見的LED屏之外，還有哪些行業能夠應用呢？未來前景怎樣？

1． 氮化鎵（GaN）的特點

氮化鎵是LED襯底中穩定且性能具有優勢的材料，目前主流產品以2～3英寸為主，4英寸也已經實現商用。氮化鎵襯底主要由日本公司主導，日本住友電工的市場份額達到90％以上。我國目前已實現產業化的企業主要包括蘇州納維科技公司和東莞市中鎵半導體科技公司。

表3：LED襯底材料性能對比

來源：公開信息，方象知產研究院整理

由于氮化鎵在各方面性能優異，隨著技術的發展，有望降低成本，逐步廣泛的在電子電力領域和微波射頻領域得以應用。

此外，氮化鎵材料由于禁帶寬度達到3．4eV，與碳化硅、金剛石等半導體材料一起，被譽為第三代半導體材料。由于氮化鎵還具有禁帶寬度大、擊穿電場高、飽和電子速度大、熱導率高、介電常數小、化學性質穩定和抗輻射能力強等優點，成為高溫、高頻、大功率微波器件的首選材料之一。

氮化鎵在電子電力領域應用主要有以下特點：

1）高轉換效率／低導通損耗：氮化鎵的禁帶寬度是硅的3倍，擊穿電場是硅的10倍。因此，同樣額定電壓的氮化鎵開關功率器件的導通電阻比硅器件低3個數量級，大大降低了開關的導通損耗。

2）高工作頻率：氮化鎵開關器件寄生電容小，工作效率可以比硅器件提升至少20倍，大大減小了電路中儲能原件如電容、電感的體積，從而成倍地減少設備體積，減少銅等貴重原材料的消耗。

氮化鎵在微波射頻領域應用主要有以下特點：

1）更高效率：降低功耗，節省電能，降低散熱成本，降低總運行成本。

2）更大的帶寬：提高信息攜帶量，用更少的器件實現多頻率覆蓋，降低客戶產品成本。也適用于擴頻通信、電子對抗等領域。

3）更高的功率：在4GHz以上頻段，可以輸出比砷化鎵高得多的頻率，特別適合雷達、衛星通信、中繼通信等領域。

2． 氮化鎵主要行業應用及前景

目前氮化鎵主要應用在IT產品、信息通訊設備、射頻器件、新能源等領域。隨著成本的下降和技術的成熟，將很有可能對現有技術進行替換。

1） IT產品

國內各主要IT產品仍將保持旺盛的市場需求，筆記本電腦、顯示器、打印機、電視機、組合音響、激光視盤機等傳統產品以及新興汽車電子均將在未來保持平穩增長。隨著全球空調、節能電機等電子產品產能向中國大陸轉移，功率半導體的需求也將成倍地增加。氮化鎵作為半導體發展中重要的原料，未來很可能影響IT產品的設計形態和競爭格局。

2） 信息通訊設備

增強型氮化鎵電晶體表現出高耐輻射性能，從而適用于通訊和科學衛星的功率和通訊系統；點到點通信、衛星通信、各種雷達和新型工業／醫療應用都將從這些大功率氮化鎵器件的應用中獲益。

5G將帶來半導體材料革命性的變化，隨著通訊頻段向高頻遷移，基站和通信設備需要支持高頻性能的射頻器件，氮化鎵的優勢將逐步凸顯，使得氮化鎵成為5G的關鍵技術。

3） 作為射頻器件合適材料

目前射頻市場主要有三種工藝：砷化鎵工藝，基于硅的LDMOS（橫向擴散金屬氧化物半導體）工藝，以及氮化鎵工藝。砷化鎵器件的缺點是器件功率較低，低于50W。LDMOS器件的缺點是工作頻率存在極限，最高有效頻率在3GHz以下。氮化鎵彌補了砷化鎵和硅基LDMOS兩種老式技術之間的缺陷，帶隙寬度與熱導率均高于硅和砷化鎵，在體現砷化鎵高頻性能的同時，結合了硅基LDMOS的功率處理能力。

4） 新能源領域

主要有三方面應用：快充電源，可再生能源和智能電網。

快充電源：氮化鎵電力電子器件方面典型應用市場是電源設備。由于結構中包含可以實現高速性能的異質結二維電子氣，氮化鎵器件相比于碳化硅器件擁有更高的工作頻率，加之可承受電壓要低于碳化硅器件，所以氮化鎵電力電子器件更適合高頻率、小體積、成本敏感、功率要求低的電源領域，如輕量化的消費電子電源適配器、無人機用超輕電源、無線充電設備等。

可再生能源：風電和太陽能電力接入電網以及減少輸電損耗方面，氮化鎵大功率器件都發揮了極其重要的作用；綠色能源、電動汽車、綠色電子照明等新興領域正在成為功率器件市場應用的新熱點，需求強勁。

智能電網領域：功率半導體能夠提高從發電、輸配電到最后用電的整個電力供應鏈的能效。

圖5：氮化鎵主要應用的預期潛在市場

來源：Yole Development，廣發證券發展研究中心

此外，根據研究機構Yole Development的研究預測，風力渦輪、鐵路牽引系統等方面，氮化鎵也有較大的應用前景。

據Yole Development預測，2016年－2020年氮化鎵射頻器件市場復合年增長率（CAGR）將達到4％；2020年末，市場規模將擴大至目前的2．5倍。2019年－2020年，5G網絡的實施將接棒推動氮化鎵市場增長。未來10年，氮化鎵市場將有望超過30億美元。據麥姆斯咨詢（MEMS Consulting），2016年，全球氮化鎵半導體器件市場規模為165億美元，預計到2023年將達到224．7億美元，2017年至2023年期間的復合年增長率為4．6％。不同機構對氮化鎵未來預測基本一致，行業前景和空間較大，競爭也將逐步提升。

驅動氮化鎵市場增長的主要因素包括氮化鎵在消費電子和汽車領域具有廣闊的市場潛力；氮化鎵材料的寬帶隙特性促進了創新應用；氮化鎵在RF功率電子領域的成功應用；以及軍事、國防、航空航天應用領域增加對氮化鎵射頻半導體器件的應用。

四方象觀察

在2019春季環球資源移動電子展上，眾多知名企業帶來了基于USB PD快充應用的氮化鎵充電器，其中包括ANKER安克、AUKEY傲基、KunX坤興、UIBI柚比、TOMMOX拓米士、Stiger斯泰克、Power7tech泰克威與Redot慧多科技等多家企業。氮化鎵在民用快充領域的應用已經觸手可及。

在氮化鎵襯底方面，我國已經小批量生產2英寸襯底，具備4英寸襯底生產能力，并開發出6英寸襯底樣品。氮化鎵生產或應用在我國也已經有大批企業涉足，包括納維科技、中鎵半導體、蘇州晶湛、大連芯冠科技、中晶半導體、聚能晶源、英諾賽科、華潤微、蘇州能訊、江蘇能華、士蘭微、華功半導體、三安集成、海威華芯等，技術水平逐步完善。未來方象知產研究院將持續關注這些企業的技術及應用特點。

氮化鎵市場空間巨大，隨著氮化鎵技術完善，成本降低，應用逐步落地，國內外企業競爭將愈加激烈。眾多行業也將迎接新的技術革新，在這場競爭中技術能力和落地應用也將直接決定競爭力。

波士頓大學與臺灣晶電的專利侵權案件硝煙仿佛剛剛散去，氮化鎵應用落地的商業戰場已經逐漸走進我們的生活。就像當初波士頓大學Moustakas教授的專利US5686738推動了LED變革并促進了第二次照明革命一樣，未來氮化鎵的應用落地也勢必又會有一大批相關專利授權或侵權之爭，或許專利US5686738案件能夠給相關企業提示和借鑒意義。

方象知產研究院將持續關注高價值專利所涉及的技術革新以及行業趨勢，持續關注技術價值所帶來的投資機會，基于技術演進特點提出技術布局參考；對專利布局和專利保護的法律問題進行持續研究和研討。