鉅亨網援引韓媒報道稱,為如期在2022 年量產 3 納米芯片,三星將在美國德州奧斯汀的半導體子公司啟動EUV專用系統 LSI 新廠投資計劃。據悉,此項投資高達 100 億美元,月產能約 7 萬片。
韓媒infostockdaily報道,相關行業人士表示,三星在奧斯汀的新廠已確認將生產非內存半導體 (Non-memory Semiconductor) 和系統 LSI。
此前業界就已傳出,三星電子正計劃在韓國華城、平澤以及美國德州奧斯汀等地建立 EUV 生產體系,作為 7 納米以下芯片的生產基地。
同時根據韓媒披露,三星副會長李在镕上個月親訪荷蘭ASML總部,實地了解了EUV 設備生產情況,并希望提前交付預定的 EUV 生產設備。
不過韓媒在最新的報道中,并未提到三星目前美國工廠的進展,包括是否已經通過美國政府的審查或已進入最終階段。
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